公开(公告)号：CN113866188A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110982186.5

申请日：2021-08-25

Applicant: 中国辐射防护研究院

Inventor： 唐智辉 ,  谷伟刚 ,  方登富 ,  张庆利 ,  务圣杰 ,  李志刚 ,  韦应靖

IPC: G01N23/02

Abstract: 本发明公开了一种屏蔽材料热中子透射率测量装置，包括准直器和探测器，准直器包括筒体和法兰，筒体的一端开设有准直孔，筒体的中心线和准直孔的中心线重合，筒体的侧壁开设有安装孔，法兰密风盖设在安装孔上，探测器的探测臂安装在法兰内，探测器的探测头位于筒体的中心线上，在使用时，中子束正对准直孔，在不添加屏蔽材料的情况下，可以通过探测器分别测量准直器闭合和开启状态下探测器的计数率，然后将被测试的屏蔽材料样品置于准直孔前面，样品中心与准直器的中心重合，中子束正对样品中心，可以通过探测器分别测量准直器闭合和开启状态下探测器的计数率，从而通过两次计数率的不同计算出屏蔽材料的透射率。

公开(公告)号：CN113866046B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202111067113.X

申请日：2021-09-13

Applicant: 中国辐射防护研究院

Inventor： 唐智辉 ,  谷伟刚 ,  务圣杰 ,  张庆利 ,  韦应靖

IPC: G01N9/24

Abstract: 本发明涉及一种测量热中子吸收材料面密度的方法。采用本发明所提供方法，通过测量一组面密度已知的热中子吸收材料标准样品的热中子透射率，构建热中子吸收材料透射率与面密度之间的函数关系式，并利用此关系式计算未知样品的面密度，从而构建一种不破坏样品物理构造而快速、准确地测量其热中子吸收核素的面密度的方法。本发明所提供的一种可无损、快速地测量热中子屏蔽材料面密度的方法，具有操作简单，数据可靠的特点，能够对同一材料面密度的均匀性、不同批次材料面密度的重复性进行检测，为材料的研发和使用提供数据依据。同时，采用本发明提供的方法能够实现材料的快速检测，极大地缩短测量时间，更适合工业化应用。

公开(公告)号：CN113866188B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202110982186.5

申请日：2021-08-25

Applicant: 中国辐射防护研究院

Inventor： 唐智辉 ,  谷伟刚 ,  方登富 ,  张庆利 ,  务圣杰 ,  李志刚 ,  韦应靖

IPC: G01N23/02

Abstract: 本发明公开了一种屏蔽材料热中子透射率测量装置，包括准直器和探测器，准直器包括筒体和法兰，筒体的一端开设有准直孔，筒体的中心线和准直孔的中心线重合，筒体的侧壁开设有安装孔，法兰密风盖设在安装孔上，探测器的探测臂安装在法兰内，探测器的探测头位于筒体的中心线上，在使用时，中子束正对准直孔，在不添加屏蔽材料的情况下，可以通过探测器分别测量准直器闭合和开启状态下探测器的计数率，然后将被测试的屏蔽材料样品置于准直孔前面，样品中心与准直器的中心重合，中子束正对样品中心，可以通过探测器分别测量准直器闭合和开启状态下探测器的计数率，从而通过两次计数率的不同计算出屏蔽材料的透射率。

公开(公告)号：CN113866046A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111067113.X

申请日：2021-09-13

Applicant: 中国辐射防护研究院

Inventor： 唐智辉 ,  谷伟刚 ,  务圣杰 ,  张庆利 ,  韦应靖

IPC: G01N9/24

Abstract: 本发明涉及一种测量热中子吸收材料面密度的方法。采用本发明所提供方法，通过测量一组面密度已知的热中子吸收材料标准样品的热中子透射率，构建热中子吸收材料透射率与面密度之间的函数关系式，并利用此关系式计算未知样品的面密度，从而构建一种不破坏样品物理构造而快速、准确地测量其热中子吸收核素的面密度的方法。本发明所提供的一种可无损、快速地测量热中子屏蔽材料面密度的方法，具有操作简单，数据可靠的特点，能够对同一材料面密度的均匀性、不同批次材料面密度的重复性进行检测，为材料的研发和使用提供数据依据。同时，采用本发明提供的方法能够实现材料的快速检测，极大地缩短测量时间，更适合工业化应用。

公开(公告)号：CN217640683U

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202122579229.3

申请日：2021-10-26

Applicant: 中国辐射防护研究院

Inventor： 陈双强 ,  韦应靖 ,  李胤 ,  方登富 ,  务圣杰

IPC: G21G4/02

Abstract: 本实用新型涉及一种基于石墨慢化的热中子发生装置，属于电离辐射计量领域，所述装置包括源容器、石墨堆、源升降机构以及源控制系统，源容器内放置有一枚中子源，源容器内嵌在混凝土支撑体中，混凝土支撑体上设置一承重钢架；石墨堆位于承重钢架上，石墨堆中间开有一条用于中子源升降的源升降通道，该通道贯穿石墨堆上下表面并延伸进源容器内，源升降机构的升降绳穿入该源升降通道内与中子源连接。源控制系统控制源升降机构将源容器内的中子源沿源升降通道提升至石墨堆中心执行照射任务，完成照射后将中子源降回源容器内，处于屏蔽位置。本实用新型装置通过高纯石墨慢化快中子，能够稳定产生热中子，并且中子源的升降方式安全可靠。