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公开(公告)号：CN105322092B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410734606.8
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 本发明公开一种复合沟道的有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种复合沟道的有机场效应管，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量，增加了激子离解产生载流子的数量，故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路，对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
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公开(公告)号：CN105226189B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410734627.X
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 本发明公开阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管及其制备方法，属于有机电子器件领域。现阶段平面异质结结构的双极型有机场效应管对称性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管及其制备方法，其有源层为阶梯形结构，由衬底、栅电极、栅介质层、P型有源层、N型有源层、金属源、漏电极组成并依次叠加。该阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管的P型有源层和N型有源层沟道长度不一样，接近源漏电极的上层有源层的沟道长度比接近栅电极的下层有源层小，有源层之间形成阶梯型结构，实现源、漏电极与N型和P型有源层的有效接触，从而提高平面异质结结构的双极型场效应管器件I‑V特性的对称性，可能对现代集成电路工艺产生重要影响。
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公开(公告)号：CN105322092A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410734606.8
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 本发明公开一种复合沟道的有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种复合沟道的有机场效应管，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量，增加了激子离解产生载流子的数量，故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路，对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
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公开(公告)号：CN105895802B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201410734575.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
IPC: H01L51/05
Abstract: 本发明公开一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平结构的双极型有机场效应管载流子迁移率不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管，通过光刻法形成纵向叠加N型有源层与P型有源层的结构，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型与P型有源层的交界面，增大了界面处激子的离解率，因而增大载流子迁移率。一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管可为制备高性能的双极型场效应管提供一种全新思路，对有机分立器件的发展或许有重大影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105895802A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410734575.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
IPC: H01L51/05
Abstract: 本发明公开一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平结构的双极型有机场效应管载流子迁移率不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管，通过光刻法形成纵向叠加N型有源层与P型有源层的结构，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型与P型有源层的交界面，增大了界面处激子的离解率，因而增大载流子迁移率。一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管可为制备高性能的双极型场效应管提供一种全新思路，对有机分立器件的发展或许有重大影响。
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公开(公告)号：CN105226189A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410734627.X
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 本发明公开阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管及其制备方法，属于有机电子器件领域。现阶段平面异质结结构的双极型有机场效应管对称性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管及其制备方法，其有源层为阶梯形结构，由衬底、栅电极、栅介质层、P型有源层、N型有源层、金属源、漏电极组成并依次叠加。该阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管的P型有源层和N型有源层沟道长度不一样，上层(接近源、漏电极)有源层的沟道长度比下层(接近栅电极)有源层小，有源层之间形成阶梯型结构，实现源、漏电极与N型和P型有源层的有效接触，从而提高平面异质结结构的双极型场效应管器件I-V特性的对称性，可能对现代集成电路工艺产生重要影响。
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公开(公告)号：CN204668360U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520433434.0
申请日：2015-06-16
Applicant: 中国计量学院
IPC: H01L51/05
Abstract: 本实用新型公开了一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管。一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管包括衬底、栅极、栅介质层、N型有源层、P型有源层、源极和漏极，其中N型有源层和P型有源层并排交叉排列在源漏电极和栅介质层之间组成纵向叠层结构。该结构使N型有源层和P型有源层交界面处激子离解充分，提高有机双极型场效应管中电子和空穴的载流子迁移率。因此本实用新型能有效提高双极型有机场效应管的性能。
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公开(公告)号：CN204809266U
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201420758725.2
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 本实用新型公开一种复合沟道的有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本实用新型提出一种复合沟道的有机场效应管，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量，增加了激子离解产生载流子的数量，故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路，对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
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公开(公告)号：CN204424320U
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201420758700.2
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国计量学院
Abstract: 本发明公开阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管，属于有机电子器件领域。现阶段平面异质结结构的双极型有机场效应管对称性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管，其有源层为阶梯形结构，由衬底、栅电极、栅介质层、P型有源层、N型有源层、源漏电极组成并依次叠加。该阶梯平面异质结结构的对称双极型有机场效应管的P型有源层和N型有源层沟道长度不一样，接近源漏电极的上层有源层的沟道长度比接近栅电极的下层有源层小，有源层之间形成阶梯型结构，实现源、漏电极与N型和P型有源层的有效接触，从而提高平面异质结结构的双极型场效应管器件I-V特性的对称性，可能对现代集成电路工艺产生重要影响。
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