公开(公告)号：CN103887125A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410076312.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 陈亮 ,  沈洋 ,  周占春 ,  金尚忠 ,  沈为民 ,  徐苏楠 ,  董艳燕 ,  杨凯 ,  钱芸生 ,  常本康 ,  周木春 ,  孙彩霞

IPC: H01J1/308

Abstract: 本发明公开了一种基于梯度掺杂纳米ZnO薄膜场助发射的透射式GaAs光电阴极，该光电阴极整体结构是由金属接触电极-ITO导电玻璃1、云母片2，GaAs保护层3、GaAlAs窗口层4、GaAs发射层5、GaAlAs阻挡层6以及GaAs衬底7、ITO导电玻璃8组成；金属接触电极-ITO导电玻璃的增透膜选用纳米ZnO薄膜，绝缘层选择云母片，发射层采用梯度掺杂方式；该阴极的优点在于：一方面纳米ZnO薄膜应用与ITO导电玻璃上，使其充当增透膜，可以增加入射光的透过率，且与金属电极具有较好的欧姆接触特性；另一方面梯度掺杂引起场助发射使得电子出射效率明显提高。

公开(公告)号：CN103745899A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410010132.2

申请日：2014-01-03

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 陈亮 ,  沈洋 ,  周占春 ,  郭海龙 ,  金尚忠 ,  张淑琴 ,  杨润光 ,  沈为民 ,  常本康 ,  钱芸生 ,  周木春

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

Abstract: 本发明公开了一种基于对数掺杂变In组分负电子亲和势GaAs光电阴极，该光电阴极是由高质量P型GaAs衬底、过渡层、p-GaAlAs缓冲层、p型GaAs发射层以及Cs／O激活层组成，其中连接衬底层和p-GaAlAs缓冲层之间的过渡层由m个变In的外延材料构成的单元层组成，m的取值范围为1≤m≤20；对于p型GaAs发射层采用电场减少型的对数掺杂结构，发射层的掺杂浓度按照N(x)＝N0logaAx，(0＜a＜1)规律变化；发射层厚度选择为8μm，梯度浓度从1×1021cm-3到1×1016cm-3渐变。该阴极的优点在于通过过渡层以及缓冲层的变In结构对阴极进行界面修饰，然后自然过渡到发射层，提高了其量子效率；另一方面对数掺杂提高了阴极中电子的平均输运距离，从而也提高了其量子效率。

公开(公告)号：CN103745899B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410010132.2

申请日：2014-01-03

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 陈亮 ,  沈洋 ,  周占春 ,  郭海龙 ,  金尚忠 ,  张淑琴 ,  杨润光 ,  沈为民 ,  常本康 ,  钱芸生 ,  周木春

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

Abstract: 本发明公开了一种基于对数掺杂变In组分负电子亲和势GaAs光电阴极，该光电阴极是由高质量P型GaAs衬底、过渡层、p?GaAlAs缓冲层、p型GaAs发射层以及Cs／O激活层组成，其中连接衬底层和p?GaAlAs缓冲层之间的过渡层由m个变In的外延材料构成的单元层组成，m的取值范围为1≤m≤20；对于p型GaAs发射层采用电场减少型的对数掺杂结构，发射层的掺杂浓度按照N(x)＝N0logaAx，(0＜a＜1)规律变化；发射层厚度选择为8μm，梯度浓度从1×1021cm?3到1×1016cm?3渐变。该阴极的优点在于通过过渡层以及缓冲层的变In结构对阴极进行界面修饰，然后自然过渡到发射层，提高了其量子效率；另一方面对数掺杂提高了阴极中电子的平均输运距离，从而也提高了其量子效率。