公开(公告)号：CN103887125A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410076312.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 陈亮 ,  沈洋 ,  周占春 ,  金尚忠 ,  沈为民 ,  徐苏楠 ,  董艳燕 ,  杨凯 ,  钱芸生 ,  常本康 ,  周木春 ,  孙彩霞

IPC: H01J1/308

Abstract: 本发明公开了一种基于梯度掺杂纳米ZnO薄膜场助发射的透射式GaAs光电阴极，该光电阴极整体结构是由金属接触电极-ITO导电玻璃1、云母片2，GaAs保护层3、GaAlAs窗口层4、GaAs发射层5、GaAlAs阻挡层6以及GaAs衬底7、ITO导电玻璃8组成；金属接触电极-ITO导电玻璃的增透膜选用纳米ZnO薄膜，绝缘层选择云母片，发射层采用梯度掺杂方式；该阴极的优点在于：一方面纳米ZnO薄膜应用与ITO导电玻璃上，使其充当增透膜，可以增加入射光的透过率，且与金属电极具有较好的欧姆接触特性；另一方面梯度掺杂引起场助发射使得电子出射效率明显提高。