一种宽波段探测的光电探测器

    公开(公告)号:CN105514186A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201511006402.3

    申请日:2015-12-29

    CPC classification number: H01L31/0224

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段探测的光电探测器及其制备方法,光电探测器结构为半圆柱形,主要包括GaAlAs/GaAs光电阴极1、收集电子的阳极2、玻璃窗3、外壳4、封装底座5、电极6和引脚7、8;GaAlAs/GaAs光电阴极1结构自下而上是由n型GaAs衬底、Si3N4增透膜、Gax1Al1-x1As缓冲层1、Gax2Al1-x2As缓冲层2、p型GaAs发射层、Cs/O激活层组成;缓冲层分为Gax1Al1-x1As缓冲层1和Gax2Al1-x2As缓冲层2,分别采用梯度掺杂和指数掺杂方式,两个缓冲层都是的变Al组分的GaAlAs;该光电探测器的优点在于:实现了宽波段、高精度、高灵敏度、快速响应的光电探测。

    一种基于分层随机搜索算法的启发式一维下料方法

    公开(公告)号:CN103164752B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201310115636.6

    申请日:2013-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种基于分层随机搜索算法的一维下料方法,包括:A、参数化模型表示一维下料问题;B、坯料组合预处理;C、通过随机搜索和深度搜索组合而成的分层随机搜索算法获取多种排样方式;D、按启发式规则选出最优排样方式;E、将最优排样方式及其不超过坯料当前需求最多能被重复使用的次数加入到当前排样方案中,并更新待排样坯料集;F、重复C、D、E的过程,直到待排样坯料的总长度小于原材料长度,输出当前排样方案;G、多次重复B、C、D、E、F的过程,然后对所有排样方案进行比较筛选,获得最优排样方案。本发明能避免传统随机搜索算法的盲目性,计算速度快,获得的排样方案适应实际生产需要。

    一种基于梯度掺杂纳米ZnO薄膜场助发射的透射式GaAs光电阴极

    公开(公告)号:CN103887125B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201410076312.0

    申请日:2014-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于梯度掺杂纳米ZnO薄膜场助发射的透射式GaAs光电阴极,该光电阴极整体结构是由金属接触电极-ITO导电玻璃1、云母片2,GaAs保护层3、GaAlAs窗口层4、GaAs发射层5、GaAlAs阻挡层6以及GaAs衬底7、ITO导电玻璃8组成;金属接触电极-ITO导电玻璃的增透膜选用纳米ZnO薄膜,绝缘层选择云母片,发射层采用梯度掺杂方式;该阴极的优点在于:一方面纳米ZnO薄膜应用与ITO导电玻璃上,使其充当增透膜,可以增加入射光的透过率,且与金属电极具有较好的欧姆接触特性;另一方面梯度掺杂引起场助发射使得电子出射效率明显提高。

    便携式自调温调压喷水与照明装置

    公开(公告)号:CN105186661A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510495722.3

    申请日:2015-08-10

    CPC classification number: Y02B20/346

    Abstract: 本发明公开了便携式自调温调压喷水与照明装置,包括进水管道、外壳、第一水密容置腔,其中第一水密容置腔设有温差发电模块、电控阀门、水温量测模块、水压量测模块、电机、照明模块等;第一水密容置腔中有蓄电池、充电管理模块、设定模块、电压变换模块、连接切换阵列、电压/电流量测模块和控制模块;其特征在于,温差发电模块通过一个充电管理模块与蓄电池相连,照明模块通过照明开关同蓄电池连接,控制模块从蓄电池取电,通过控制电控阀门的开度来控制出水温度,并且通过控制连接切换阵列和电压变换模块来调节电机的工作方式,达到控制水压的目的。本发明可以利用温差发电,并根据需要自行调节水温水压,高效节能,便捷环保。

    一种荧光三维码的生成方法、识别方法、识别设备及系统

    公开(公告)号:CN105787540A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610067272.2

    申请日:2016-02-01

    CPC classification number: G06K19/06037 G06K7/1417 G06K19/0614

    Abstract: 本发明公开一种荧光三维码的生成方法、识别方法、识别设备及系统,所述生成方法包括提供一个具有二维平面矩阵的承载物;在所述承载物的所述二维平面矩阵上打印出二维码;在打印的油墨中添加荧光材料,在打印二维码之前或之后的二维平面矩阵中打印第三维度荧光阵列,使得所述第三维度荧光阵列与二维码重合形成荧光三维码的平面图。本发明荧光三维码的生成方法通过在二维平面矩阵上打印二维码和具有荧光材料的第三维度荧光阵列,使得所述第三维度荧光阵列与二维码重合形成荧光三维码的平面图,进一步地可根据需要可获得具有不同荧光材料的三维码,数据容量大;获取所述荧光三维码中的荧光信号需要使用紫外、紫光或蓝光、绿光激光激发,能够保证信息的安全可靠。

    一种新型LED教室灯
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105636265B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201511006400.4

    申请日:2015-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种新型LED教室灯,属于电子技术领域,以STC89C52系列单片机为核心搭建控制系统,使用较大功率的12WLED灯作为照明输出方式,选择LCD12864液晶显示屏显示方案,同时用软件控制PWM波占空比来实现调光功能,操作可通过按键来完成;该系统由电源输入端1,变压器2,L298N电压转换模块3,12WLED灯4,LCD液晶显示器5,单片机控制系统6,GY30感光模块7和键盘8组成,具有自动调光、照明效果稳定等优点,可以使光照随时保持在最合适的状态。

    一种宽波段探测的光电探测器

    公开(公告)号:CN105514186B

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201511006402.3

    申请日:2015-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段探测的光电探测器及其制备方法,光电探测器结构为半圆柱形,主要包括GaAlAs/GaAs光电阴极1、收集电子的阳极2、玻璃窗3、外壳4、封装底座5、电极6和引脚7、8;GaAlAs/GaAs光电阴极1结构自下而上是由n型GaAs衬底、Si3N4增透膜、Gax1Al1‑x1As缓冲层1、Gax2Al1‑x2As缓冲层2、p型GaAs发射层、Cs/O激活层组成;缓冲层分为Gax1Al1‑x1As缓冲层1和Gax2Al1‑x2As缓冲层2,分别采用梯度掺杂和指数掺杂方式,两个缓冲层都是的变Al组分的GaAlAs;该光电探测器的优点在于:实现了宽波段、高精度、高灵敏度、快速响应的光电探测。

    一种基于纳米刻蚀的日盲紫外增透膜

    公开(公告)号:CN104834025B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201510102141.9

    申请日:2015-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米刻蚀的日盲紫外增透膜,属于薄膜技术领域,包括以下步骤:(1)选取紫外级熔石英(JGS1)作为基底;(2)基底清洗;(3)真空蒸发镀膜法镀第一层膜;(4)纳米刻蚀法优化第一层膜;(5)真空蒸发镀膜法镀第二层膜;(6)纳米刻蚀法优化第二层膜;(7)真空蒸发镀膜法镀第三层膜;(8)纳米刻蚀法优化第三层膜;(9)冷却后检验包装。本发明的日盲紫外增透膜选取适合紫外波段的氟化物,在真空蒸发镀膜法的基础上结合纳米刻蚀法,减小膜面缺陷密度,适合依赖整个紫外波段的探测器,具有优良的化学稳定性。

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