一种宽波段探测的光电探测器

    公开(公告)号:CN105514186A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201511006402.3

    申请日:2015-12-29

    CPC classification number: H01L31/0224

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段探测的光电探测器及其制备方法,光电探测器结构为半圆柱形,主要包括GaAlAs/GaAs光电阴极1、收集电子的阳极2、玻璃窗3、外壳4、封装底座5、电极6和引脚7、8;GaAlAs/GaAs光电阴极1结构自下而上是由n型GaAs衬底、Si3N4增透膜、Gax1Al1-x1As缓冲层1、Gax2Al1-x2As缓冲层2、p型GaAs发射层、Cs/O激活层组成;缓冲层分为Gax1Al1-x1As缓冲层1和Gax2Al1-x2As缓冲层2,分别采用梯度掺杂和指数掺杂方式,两个缓冲层都是的变Al组分的GaAlAs;该光电探测器的优点在于:实现了宽波段、高精度、高灵敏度、快速响应的光电探测。

    一种基于梯度掺杂纳米ZnO薄膜场助发射的透射式GaAs光电阴极

    公开(公告)号:CN103887125B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201410076312.0

    申请日:2014-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于梯度掺杂纳米ZnO薄膜场助发射的透射式GaAs光电阴极,该光电阴极整体结构是由金属接触电极-ITO导电玻璃1、云母片2,GaAs保护层3、GaAlAs窗口层4、GaAs发射层5、GaAlAs阻挡层6以及GaAs衬底7、ITO导电玻璃8组成;金属接触电极-ITO导电玻璃的增透膜选用纳米ZnO薄膜,绝缘层选择云母片,发射层采用梯度掺杂方式;该阴极的优点在于:一方面纳米ZnO薄膜应用与ITO导电玻璃上,使其充当增透膜,可以增加入射光的透过率,且与金属电极具有较好的欧姆接触特性;另一方面梯度掺杂引起场助发射使得电子出射效率明显提高。

    一种有利于植物生长的LED智能调光系统

    公开(公告)号:CN105517240B

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201511006448.5

    申请日:2015-12-29

    CPC classification number: Y02B20/343

    Abstract: 本发明公开了一种有利于植物生长的LED智能调光系统,包括RGB智能调光系统模块,驱动电路,无线网络控制模块,光源模组设计模块以及植物光度学与人眼光度学换算算法;克服现有市场上植物生长灯单一的波长与光照强度的问题,利用软件提供的计算技术,根据不同植物在不同生长阶段所需的光照需求不同,通过无线网络,将不同植物生长所需光照波长与光照强度数据传送给该智能调光系统,系统通过RGB调光产生不同波长和光照强度的灯光,通过最佳的光源模组设计,从而提供最适合植物健康生长所需的光照。

    一种新型LED教室灯
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105636265B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201511006400.4

    申请日:2015-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种新型LED教室灯,属于电子技术领域,以STC89C52系列单片机为核心搭建控制系统,使用较大功率的12WLED灯作为照明输出方式,选择LCD12864液晶显示屏显示方案,同时用软件控制PWM波占空比来实现调光功能,操作可通过按键来完成;该系统由电源输入端1,变压器2,L298N电压转换模块3,12WLED灯4,LCD液晶显示器5,单片机控制系统6,GY30感光模块7和键盘8组成,具有自动调光、照明效果稳定等优点,可以使光照随时保持在最合适的状态。

    一种宽波段探测的光电探测器

    公开(公告)号:CN105514186B

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201511006402.3

    申请日:2015-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段探测的光电探测器及其制备方法,光电探测器结构为半圆柱形,主要包括GaAlAs/GaAs光电阴极1、收集电子的阳极2、玻璃窗3、外壳4、封装底座5、电极6和引脚7、8;GaAlAs/GaAs光电阴极1结构自下而上是由n型GaAs衬底、Si3N4增透膜、Gax1Al1‑x1As缓冲层1、Gax2Al1‑x2As缓冲层2、p型GaAs发射层、Cs/O激活层组成;缓冲层分为Gax1Al1‑x1As缓冲层1和Gax2Al1‑x2As缓冲层2,分别采用梯度掺杂和指数掺杂方式,两个缓冲层都是的变Al组分的GaAlAs;该光电探测器的优点在于:实现了宽波段、高精度、高灵敏度、快速响应的光电探测。

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