公开(公告)号：CN112530768B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202011514561.5

申请日：2020-12-21

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 沈洋 ,  方强龙 ,  陈亮 ,  李依婷 ,  谢大宝 ,  朱华

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法，光电阴极包括正极、负极、指数掺杂层、绝缘层。正极为纳米条带阵列；所述正极接入电源正极，所述负极接入电源负极。其中所述指数掺杂层包括阴极发射层、保护层和基底；所述阴极发射层为纳米圆柱；阴极发射层材料为指数掺杂的In0.53Ga0.47As，保护层材料为In0.63Ga0.37As，基底材料为n型GaAs(100)基底。本发明还公开了上述光电阴极的制备方法。在本发明中通过外加强电场的方式来降低阴极的表面功函数，可以有效减少光电阴极性能的衰减。在正极与阴极发射层之间加了绝缘层，避免出现短路或者打火的现象。采用纳米柱阵列的结构，可以大幅提升阴极的电子发射能力。采用指

公开(公告)号：CN112530768A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011514561.5

申请日：2020-12-21

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 沈洋 ,  方强龙 ,  陈亮 ,  李依婷 ,  谢大宝 ,  朱华

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法，光电阴极包括正极、负极、指数掺杂层、绝缘层。正极为纳米条带阵列；所述正极接入电源正极，所述负极接入电源负极。其中所述指数掺杂层包括阴极发射层、保护层和基底；所述阴极发射层为纳米圆柱；阴极发射层材料为指数掺杂的In0.53Ga0.47As，保护层材料为In0.63Ga0.37As，基底材料为n型GaAs(100)基底。本发明还公开了上述光电阴极的制备方法。在本发明中通过外加强电场的方式来降低阴极的表面功函数，可以有效减少光电阴极性能的衰减。在正极与阴极发射层之间加了绝缘层，避免出现短路或者打火的现象。采用纳米柱阵列的结构，可以大幅提升阴极的电子发射能力。采用指数掺杂的方式可以大幅提升阴极的量子效率。