公开(公告)号：CN114964491A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210312735.2

申请日：2022-03-28

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 郝然 ,  陈晨远 ,  陈建伟 ,  姜华卿 ,  汤开达 ,  金尚忠

IPC: G01J3/10 ,  H01S1/02

Abstract: 本发明提供一种用于辐射功率增强的阵列化太赫兹源。所述器件通过阵列化基于单行载流子光电二极管的太赫兹发生器利用天线阵列功率合成技术增强太赫兹波输出功率。所述太赫兹发生器单元将单行载流子光电二极管与HEMT放大器相结合，以增强光电流输出功率的方式进一步增强太赫兹波输出功率。此外，所述阵列化太赫兹源将激光分光模块和太赫兹波发射阵列模块集成在同一衬底中，极大的降低了光传输的损耗。本发明提供的用于辐射功率增强的阵列化太赫兹源提高了基于单行载流子光电二极管的太赫兹源的辐射功率，在超高速无线通信领域具有重要应用价值。

公开(公告)号：CN112086527A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202011179327.1

申请日：2020-10-29

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 郝然 ,  王三菲 ,  甄政 ,  汤开达 ,  姜华卿 ,  石岩 ,  金尚忠

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明提供一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，所述器件通过引入全反射镜和补偿反射镜结构，使得入射光信号斜入射在二极管表面的部分反射信号光在引入的新反射镜表面能够重新反射回二极管本体内，增大效率，且入射光信号斜入射部分在二极管表面斜入射进而增加光在吸收层的传播长度，在保持器件的高速、高饱和输出的前提下进一步提升量子效率。此外，所述器件在收集层和接触层中间插入P型掺杂薄层进行电场优化，使器件可以在更高的工作电压下进行正常工作，高的工作电压可以应对高光强造成的空间电荷效应，对其进行补偿，使得器件在更高的光强下依然保有高的响应速度。

公开(公告)号：CN112086527B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202011179327.1

申请日：2020-10-29

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 郝然 ,  甄政 ,  王三菲 ,  汤开达 ,  姜华卿 ,  石岩 ,  金尚忠

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明提供一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，所述器件通过引入全反射镜和补偿反射镜结构，使得入射光信号斜入射在二极管表面的部分反射信号光在引入的新反射镜表面能够重新反射回二极管本体内，增大效率，且入射光信号斜入射部分在二极管表面斜入射进而增加光在吸收层的传播长度，在保持器件的高速、高饱和输出的前提下进一步提升量子效率。此外，所述器件在收集层和接触层中间插入P型掺杂薄层进行电场优化，使器件可以在更高的工作电压下进行正常工作，高的工作电压可以应对高光强造成的空间电荷效应，对其进行补偿，使得器件在更高的光强下依然保有高的响应速度。

公开(公告)号：CN112289875A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011179317.8

申请日：2020-10-29

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 郝然 ,  王三菲 ,  甄政 ,  汤开达 ,  姜华卿 ,  石岩 ,  金尚忠

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明提供一种双掺杂谐振腔单行载流子光电二极管，所述器件在吸收层和收集层同时进行处理，在吸收层进行线性渐变掺杂从而吸收层的禁带宽度呈现线性变化或在吸收层掺杂材料组分实现阶跃式分布从而吸收层的禁带宽度呈现梯度变化，这都利于提高吸收层内建电场强度进而减少电子漂移时间，提高器件响应度。在收集层采用氧化工艺获得收集层部分氧化物绝缘层结构，由其低折射率特性，将降低所述器件的寄生电容，提升器件的响应速度。此外，在集成器件的外部上引入第一反射镜和第二反射镜形成谐振腔结构，从而增强入射信号光在高Q值谐振腔内场的振幅，进而使所述器件量子效率提高。