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公开(公告)号：CN111180157B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201911350117.1
申请日：2019-12-24
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种2：17型SmCoCuFeZrB烧结永磁体，其元素组成式为Smx(Co1‑a‑b‑c‑dFeaCubZrcBd)z，该式中符号x,a,b,c,d和z表示限定元素的组成范围，其中，原子个数比x:a:b:c:d:z＝1:(0.01～0.4):(0～0.03):(0.01～0.05):(0.01～0.04)：(6.8～8.4)；该磁体具有胞状组织结构，胞壁相是1：4：1型晶体结构的Sm(CoFeCu)4B相，胞内主相为Sm2(CoFe)17B相。本发明还公开了该烧结永磁体的制备方法，本发明制备的烧结永磁体，其致密度和取向度是纳米晶和非晶磁体无法比拟的；而且本发明通过热处理工艺、控氧工艺等的配合，有效抑制了所述磁体在热处理过程中相的不受控分解，实现了微结构和相组成的有效调控，实现了烧结2：17型钐钴磁体中Fe元素添加量的提高，提升了高Fe含量下磁体的内禀矫顽力，进而提高烧结2：17型钐钴磁体的最大磁能积。
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公开(公告)号：CN112481665A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011154965.8
申请日：2020-10-26
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种钐铁钴薄膜电镀液，所述电镀液包括以下质量浓度的组分：钴盐5～15g/L，铁盐10～40g/L，钐盐8～30g/L，络合剂10～35g/L，硼酸3～7g/L，冰醋酸2～5g/L，柠檬酸钠3～6g/L，磷酸钾或者硝酸钾1～3g/L，溶剂为水。本发明还公开了一种钐铁钴薄膜电镀液的制备方法。采用本发明的电镀液可以实现同时沉积Sm、Fe、Co三种元素，采用该电镀液制备的钐铁钴薄膜，具有元素含量可控，元素分布均匀等优势；本发明为新一代稀土永磁材料Sm(FeCo)12的开发提供了优良的配体和电镀液。采用本发明的电镀液制得的钐铁钴非晶薄膜的饱和磁感强度、内禀矫顽力较大。
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公开(公告)号：CN113020595B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110213796.9
申请日：2019-12-24
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC分类号： B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F9/04 , C21D11/00 , C22B9/00 , C22B9/04 , C22C1/03 , H01F1/057 , H01F41/02
摘要： 本发明公开了一种2：17型SmCoCuFeZrB烧结永磁体的制备方法，该制备方法用于制备烧结永磁体Smx(Co1‑a‑b‑c‑dFeaCubZrcBd)z，该式中符号x,a,b,c,d和z表示限定元素的组成范围，其中，原子个数比x:a:b:c:d:z＝1:(0.01～0.4):(0～0.03):(0.01～0.05):(0.01～0.04)：(6.8～8.4)；该磁体具有胞状组织结构，胞内主相为Sm2(CoFe)17B相；本发明方法制备的烧结永磁体，其致密度和取向度是纳米晶和非晶磁体无法比拟的；而且本发明通过热处理工艺、控氧工艺等的配合，有效抑制了所述磁体在热处理过程中相的不受控分解，实现了微结构和相组成的有效调控，实现了烧结2：17型钐钴磁体中Fe元素添加量的提高，提升了高Fe含量下磁体的内禀矫顽力，进而提高烧结2：17型钐钴磁体的最大磁能积。
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公开(公告)号：CN112481665B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011154965.8
申请日：2020-10-26
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种钐铁钴薄膜电镀液，所述电镀液包括以下质量浓度的组分：钴盐5～15g/L，铁盐10～40g/L，钐盐8～30g/L，络合剂10～35g/L，硼酸3～7g/L，冰醋酸2～5g/L，柠檬酸钠3～6g/L，磷酸钾或者硝酸钾1～3g/L，溶剂为水。本发明还公开了一种钐铁钴薄膜电镀液的制备方法。采用本发明的电镀液可以实现同时沉积Sm、Fe、Co三种元素，采用该电镀液制备的钐铁钴薄膜，具有元素含量可控，元素分布均匀等优势；本发明为新一代稀土永磁材料Sm(FeCo)12的开发提供了优良的配体和电镀液。采用本发明的电镀液制得的钐铁钴非晶薄膜的饱和磁感强度、内禀矫顽力较大。
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公开(公告)号：CN111091943B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911347976.5
申请日：2019-12-24
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种低温度系数Sm2Co17型烧结磁体及其制备方法，本发明通过分别制备合金铸锭Sm(CoFeCuZr)z合金和RECuZr合金，分别破碎后制成粉末，将合金粉末混合，球磨，然后进行磁场取向和冷等静压处理制成压坯，后进行烧结、固溶和回火处理，制得低温度系数Sm2Co17型烧结磁体。本发明的制备方法能够制得剩磁温度系数较低的磁体，而且该磁体的磁性能较高，所用的重稀土含量较少，成本较低。
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公开(公告)号：CN111091943A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911347976.5
申请日：2019-12-24
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种低温度系数Sm2Co17型烧结磁体及其制备方法，本发明通过分别制备合金铸锭Sm(CoFeCuZr)z合金和RECuZr合金，分别破碎后制成粉末，将合金粉末混合，球磨，然后进行磁场取向和冷等静压处理制成压坯，后进行烧结、固溶和回火处理，制得低温度系数Sm2Co17型烧结磁体。本发明的制备方法能够制得剩磁温度系数较低的磁体，而且该磁体的磁性能较高，所用的重稀土含量较少，成本较低。
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公开(公告)号：CN112712986B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011430057.7
申请日：2019-12-24
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种低温度系数Sm2Co17型烧结磁体及其制备方法，本发明通过分别制备合金铸锭Sm(CoFeCuZr)z合金和RECuZr合金，分别破碎后制成粉末，将合金粉末混合，球磨，然后进行磁场取向和冷等静压处理制成压坯，后进行烧结、固溶和回火处理，制得低温度系数Sm2Co17型烧结磁体。本发明的制备方法能够制得剩磁温度系数较低的磁体，而且该磁体的磁性能较高，所用的重稀土含量较少，成本较低。
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公开(公告)号：CN113020595A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110213796.9
申请日：2019-12-24
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC分类号： B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F9/04 , C21D11/00 , C22B9/00 , C22B9/04 , C22C1/03 , H01F1/057 , H01F41/02
摘要： 本发明公开了一种2：17型SmCoCuFeZrB烧结永磁体的制备方法，该制备方法用于制备烧结永磁体Smx(Co1‑a‑b‑c‑dFeaCubZrcBd)z，该式中符号x,a,b,c,d和z表示限定元素的组成范围，其中，原子个数比x:a:b:c:d:z＝1:(0.01～0.4):(0～0.03):(0.01～0.05):(0.01～0.04)：(6.8～8.4)；该磁体具有胞状组织结构，胞内主相为Sm2(CoFe)17B相；本发明方法制备的烧结永磁体，其致密度和取向度是纳米晶和非晶磁体无法比拟的；而且本发明通过热处理工艺、控氧工艺等的配合，有效抑制了所述磁体在热处理过程中相的不受控分解，实现了微结构和相组成的有效调控，实现了烧结2：17型钐钴磁体中Fe元素添加量的提高，提升了高Fe含量下磁体的内禀矫顽力，进而提高烧结2：17型钐钴磁体的最大磁能积。
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公开(公告)号：CN112712986A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011430057.7
申请日：2019-12-24
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种低温度系数Sm2Co17型烧结磁体及其制备方法，本发明通过分别制备合金铸锭Sm(CoFeCuZr)z合金和RECuZr合金，分别破碎后制成粉末，将合金粉末混合，球磨，然后进行磁场取向和冷等静压处理制成压坯，后进行烧结、固溶和回火处理，制得低温度系数Sm2Co17型烧结磁体。本发明的制备方法能够制得剩磁温度系数较低的磁体，而且该磁体的磁性能较高，所用的重稀土含量较少，成本较低。
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公开(公告)号：CN112481666A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011155927.4
申请日：2020-10-26
申请人： 中国计量大学 , 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜，包含的元素为Sm、Fe、Co、P，其中各个元素的重量百分数的比值为Sm：Fe：Co：P＝x：y：z：a，5.0≤x≤35.0，55.0≤y≤80.0，0≤z≤30.0，0.1≤a≤2.0，x+y+z+a＝100。本发明还公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜的制备方法，包括：(1)电极片活化处理；(2)电化学共沉积；(3)薄膜清洗。本发明能够实现Sm、Fe、Co三种元素的可控共沉积，薄膜元素分布均匀，而且本发明制备方法制得的非晶薄膜的饱和磁化强度较高，达到137emu/g。
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