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发明公开
碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119132938A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411203345.7

申请日：2024-08-29

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 徐思晗 , 暴杰 , 林翰东

IPC: H01L21/28 , H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/78

Abstract: 本申请提供了一种碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法。其中，碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法包括以下步骤：提供碳化硅基底；在碳化硅基底上生长氧化硅层；将生长氧化硅层后的碳化硅基底在氮气和氯气的混合气氛下进行退火处理。该碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法通过在退火处理的混合气氛中引入氮气和氯气，通过氮气和氯气相结合，能够有效地降低碳化硅MOSFET器件的SiC/SiO2界面态密度、提高碳化硅MOSFET器件的性能。

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