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公开(公告)号：CN119798287A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411519723.2
申请日：2024-10-29
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所 , 南京信息技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种近红外镱配合物及其制备方法和应用。所述近红外镱配合物具有式Ⅰ或式Ⅱ所示的结构，分别简称为YbQ3和[Yb(DPyPDA)2](DIEA)。经测试，YbQ3的光致发光量子效率高达10.69％，其发光寿命长达94微秒，具有良好的热稳定性，在466nm可见光的激发下，可以发射出978nm的近红外光。因此，将YbQ3应用于近红外成像，可达到优异效果。[Yb(DPyPDA)2](DIEA)具有优异的热稳定性和化学稳定性、更长的发光寿命，将其作为发光材料，制备得到的OLEDs器件可以发射出镱离子在近红外区978nm处的特征发射，在不同的操作电压下均具有较高的近红外辐照度。
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公开(公告)号：CN109402736A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810966173.7
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法，包括以下步骤，首先依据结晶生长的化学键合理论，确定稀土晶体的热力学生长形态；然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态，确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向，及生长界面处的各向异性化学键合结构；再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构，参照式(I)，计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度；最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度，计算得到稀土晶体光纤的生长速率，如式(II)所示。
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公开(公告)号：CN112593283A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011460099.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为斜面；所述稀土单晶包括钆镓石榴石单晶或掺杂钆镓石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，利用该坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
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公开(公告)号：CN112695378A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011463582.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为平面；所述锥形孔的锥形斜边与所述坩埚底部连接处设置有圆形倒角；所述稀土单晶包括钇铁石榴石单晶或掺杂钇铁石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，利用该坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112626611A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011463746.8
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为平面；所述稀土单晶包括钇铝石榴石单晶或掺杂钇铝石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，建立微下拉生长模型，利用特殊结构的坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
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公开(公告)号：CN118388407A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410520228.7
申请日：2024-04-28
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了一种稀土钆配合物的合成方法和在有机电致发光器件中的应用。该稀土配合物制备步骤简单，原料成本低廉，便于工业化生产；将本发明提供的钆配合物用于敏化有机电致发光器件，对敏化后的有机电致发光器件进行性能测试，测试结果表明，用本发明提供的钆配合物敏化后的有机电致发光器件性能良好。
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公开(公告)号：CN109326333A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810966520.6
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法，包括以下步骤，首先依据结晶生长的化学键合理论，确定稀土晶体的热力学生长形态；然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态，确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向，及生长界面处的各向异性化学键合结构；再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构，参照式(I)，计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度；最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度，计算得到稀土晶体光纤的生长速率，如式(II)所示。
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公开(公告)号：CN109326333B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201810966520.6
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法，包括以下步骤，首先依据结晶生长的化学键合理论，确定稀土晶体的热力学生长形态；然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态，确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向，及生长界面处的各向异性化学键合结构；再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构，参照式(I)，计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度；最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度，计算得到稀土晶体光纤的生长速率，如式(II)所示。
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公开(公告)号：CN109402736B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201810966173.7
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
Abstract: 本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法，包括以下步骤，首先依据结晶生长的化学键合理论，确定稀土晶体的热力学生长形态；然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态，确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向，及生长界面处的各向异性化学键合结构；再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构，参照式(I)，计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度；最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度，计算得到稀土晶体光纤的生长速率，如式(II)所示。
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