合成1-三甲硅基丙炔的新方法

    公开(公告)号:CN1031711C

    公开(公告)日:1996-05-01

    申请号:CN91100585.4

    申请日:1991-01-28

    Abstract: 合成1-三甲硅基丙炔的新方法,本发明属取代的不饱和烃合成的新工艺,以乙炔为原料,有选择的使其一活泼氢原子发生格氏反应,再经硅烷化反应得到1-三甲硅基乙炔,进而从后者出发再经过格氏反应和甲基化反应得到1-三甲硅基丙炔,产品含六甲基硅氧烷低于350ppm,纯度高于99.5%,满足了由阳离子复分解催化聚合反应制高分子量聚1-三甲硅基丙炔的纯度要求。

    合成1-三甲硅基丙炔的新方法

    公开(公告)号:CN1063872A

    公开(公告)日:1992-08-26

    申请号:CN91100585.4

    申请日:1991-01-28

    Abstract: 合成1-三甲硅基丙炔的新方法,本发明属取代的不饱和烃合成的新工艺,以乙炔为原料,有选择的使其一活泼氢原子发生格氏反应,再经硅烷化反应得到1-三甲硅基乙炔,进而从后者出发再经过格氏反应和甲基化反应得到1-三甲硅基丙炔。产品含六甲基硅氧烷低于350ppm,纯度高于99.5%,满足了由阳离子复分解催化聚合反应制高分子量聚1-三甲硅基丙炔的纯度要求。

    取代聚乙炔气体分离膜的紫外接枝的改性方法

    公开(公告)号:CN1056097C

    公开(公告)日:2000-09-06

    申请号:CN95103930.X

    申请日:1995-04-20

    Abstract: 本发明属于取代聚乙炔气体分离膜的紫外接枝的改性方法。本发明涉及具有下列链结构的取代聚乙炔高分子膜材料的紫外辐照接枝共聚改性:其中R1为C1~C4烷基,R2为Si(CH3)2或(CH2)n(n=0~2),R3和R4为C1~C6烷基,R5为C1~C12烷基,m≥100。用这一方法可使这类膜的气体分离系数大为提高,如αO2/N2,可以从1.3~1.5增到>4,同时气透稳定性明显改善。用来接枝共聚的单体,包括气态或液态的烯烃类和含氧、氮和卤素的单体以及它们的混合物。膜周围的温度为-50℃~50℃,单体气(或汽)的分压为1×102~2×105Pa,反应时间为10min~36h。

    取代聚乙炔气体分离膜的紫外接技的改性方法

    公开(公告)号:CN1133851A

    公开(公告)日:1996-10-23

    申请号:CN95103930.X

    申请日:1995-04-20

    Abstract: 本发明属于取代聚乙炔气体分离膜的紫外接技的改性方法。本发明涉及具有下列链结构的取代聚乙炔高分子膜材料的紫外辐照接枝共聚改性,其中R1为C1-C4烷基,R2为Si(CH3)2或(CH2)n(n=0~2),R3和R4为C1-C6烷基,R5为C1-C12烷基,m≥1000。用这一方法可使这类膜的气体分离系数大为提高,如αO2/N2可以从1.3-1.5增到>4,同时气透稳定性明显改善。用来接枝共聚的单体,包括气态或液态的烯烃类和含氧、氮和卤素的单体以及它们的混合物。膜周围的温度为-50℃~50℃单体气(或汽)的分压为1×102~2×105Pa,反应时间为10min~36h。

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