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公开(公告)号：CN115480347A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210662728.5
申请日：2022-06-13
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供一种波分复用器中阵列波导光纤与平板波导垂直度的提高方法，包括如下步骤：S1、利用微纳通孔阵列制备方法制备输入平板波导和输出平板波导；S2、在输入平板波导和输出平板波导的轴向上分别放置CCD相机；S3、分别将输入平板波导、输出平板波导与对应的CCD相机调至平行；S4、将阵列波导中光纤的输入端和输出端分别插进输入平板波导和输出平板波导内，利用两个CCD相机的成像面分别对光纤的输入端和输出端的出射面进行光斑成像，根据光斑位置将光纤的输入端与输入平板波导之间的夹角及光纤的输出端与输出平板波导之间的夹角分别调整为直角。本发明可以有效提高波分复用器中阵列波导光纤与输入平板波导、输出平板波导的垂直度。
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公开(公告)号：CN113267889A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110638324.8
申请日：2021-06-08
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次相位离轴菲涅尔波带片设计方法，包括以下步骤：S1、确定层析显微光路系统中待校正的像差；S2、根据待校正的像差的分布，利用第一曝光点和第二曝光点的坐标确定二次相位离轴菲涅尔波带片的栅线分布。本发明提供的二次相位离轴菲涅尔波带片能够同时实现层析及系统像差校正，提高系统成像质量、降低系统复杂程度。
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公开(公告)号：CN111310571A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010050795.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及高光谱图像处理领域，具体涉及一种基于空谱维滤波的高光谱图像分类方法及装置。该方法及装置对反射率反演后的样本的高光谱图像进行TSG滤波、黑白掩膜标定，基于样本的高光谱图像的标签信息与样本的高光谱图像的前多个主成分构造特征集，输入训练集对支持向量机进行训练，利用训练好的支持向量机对测试集进行分类。该方法及装置结合主成分分析、支持向量机算法构建了高光谱图像，能够抑制高光谱图像中受样本三维形态影响带来的DN值畸变，同时改善图像光谱维的条带噪声，实现高光谱图像空谱维滤波。本发明改善了高光谱图像中样本边缘以及不规则表面带来的DN值畸变，有效提高了图像的分类精度，可用于农业、药业、环境监视等等诸多领域。
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公开(公告)号：CN111121968A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911393056.7
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供一种噪声评价方法、反射率反演方法以及图像分析装置，该装置包括相互连接的高光谱图像采集装置和高光谱图像处理装置，高光谱图像采集装置包括：样本台、标准反射率板、高光谱仪、转台和照明系统，样本台放置于所述转台上，样本台的两侧分别放置标准反射率板；高光谱图像处理装置用于执行噪声评价方法和反射率反演方法。该装置能够减小图像高光谱图像采集过程中光照不均匀对成像质量的影响，该图像分析装置能够求解出图像各个点的噪声近似值，并据此反演得到高光谱图像的反射率。该装置能够更加方便、高效、高精度地执行噪声评价和反射率反演过程。
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公开(公告)号：CN108490524B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201810300891.0
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种高线密度光栅掩模的制备方法和系统，所述方法包括以下步骤：将激光器发射出的激光经过激光扩束镜进行扩束后形成第一平行光束；将第一平行光束正入射在矩形振幅透射光栅上，并在矩形振幅透射光栅之后的第一位置形成泰伯像，所述泰伯像与待拉伸的光栅掩模形成莫尔条纹；采用拉伸装置沿待拉伸的光栅掩模的条纹方向对待拉伸的光栅掩模进行拉伸，以提高待拉伸的光栅掩模的线密度；采用CCD传感器实时探测拉伸过程中的莫尔条纹，并根据探测的莫尔条纹实时计算出拉伸过程中光栅掩模的线密度，直至计算出的线密度达到预设线密度。相比于传统拉伸法需要仿真模拟材料和拉力关系的方式，本发明具有步骤简单、精准度高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732666A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710239753.1
申请日：2017-04-13
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G02B5/18
CPC classification number: G02B5/1857
Abstract: 本发明提供的光栅刻蚀方法，在单晶硅基底上生长抗蚀层后涂覆光刻胶并前烘；利用紫外曝光显影在单晶硅基底表面进行扇形光刻胶掩模图形的制备；利用抗蚀层腐蚀剂以及单晶硅刻蚀液将扇形光刻胶掩模图形转移至单晶硅基底上，利用扇形掩模图形内不同矩形条对应刻蚀现象不同确定单晶硅基底的晶向；确定单晶硅基底的晶向后，利用紫外曝光显影进行正式光栅光刻胶掩模图形的制作；利用抗蚀层腐蚀剂将正式光栅光刻胶掩模图形转移至抗蚀层上得到抗蚀层掩模图形并对抗蚀层掩模图形进行光刻胶去除；利用单晶硅刻蚀液将抗蚀层掩模图形转移至单晶硅基底上，对单晶硅基底进行清洁处理，有效提高光栅纵横刻蚀速率比，对制作出高深宽比的光栅具有直接的重要价值。
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公开(公告)号：CN108490524A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810300891.0
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种高线密度光栅掩模的制备方法和系统，所述方法包括以下步骤：将激光器发射出的激光经过激光扩束镜进行扩束后形成第一平行光束；将第一平行光束正入射在矩形振幅透射光栅上，并在矩形振幅透射光栅之后的第一位置形成泰伯像，所述泰伯像与待拉伸的光栅掩模形成莫尔条纹；采用拉伸装置沿待拉伸的光栅掩模的条纹方向对待拉伸的光栅掩模进行拉伸，以提高待拉伸的光栅掩模的线密度；采用CCD传感器实时探测拉伸过程中的莫尔条纹，并根据探测的莫尔条纹实时计算出拉伸过程中光栅掩模的线密度，直至计算出的线密度达到预设线密度。相比于传统拉伸法需要仿真模拟材料和拉力关系的方式，本发明具有步骤简单、精准度高等优点。
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公开(公告)号：CN103344716A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310251594.9
申请日：2013-06-24
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G01N30/02
Abstract: 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法，属于光谱技术领域，解决了现有技术确定单晶硅湿法刻蚀刻蚀截止点重复性差、精度低的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)构建一套包括单晶硅湿法刻蚀反应以及检测痕量氢气的装置；(2)在反应未开始时通过机械泵对装置抽真空，通过真空规及真空计测量氢气输送管内的真空度；(3)真空度达到10Pa以下时开始反应，通过机械泵将反应生成的氢气抽至痕量氢气检测装置，得到痕量氢气检测装置中氢气总量的原子吸收光谱峰值随反应时间的关系曲线；(4)当关系曲线的变化趋缓时任意时刻停止反应过程，此时即为刻蚀截止点。本发明能够精确确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅的刻蚀截止点。
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公开(公告)号：CN117949430A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410076601.4
申请日：2024-01-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明涉及表面增强拉曼光谱技术领域，提供一种复合表面增强拉曼基底及其制备方法；所述复合表面增强拉曼基底包括Au@Ag纳米球与硅衬底；所述Au@Ag纳米球以单层金属膜的形式附着在所述硅衬底上；所述Au@Ag纳米球包括金核与银壳；所述硅衬底为正金字塔阵列结构或倒金字塔阵列结构；本发明的制备方法操作简单、制备成本低，可实现三维SERS基底的批量化生产，而且获得的SERS基底稳定性强、重复性好、结构尺寸可调、灵敏度高并且可以投入实际应用。
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公开(公告)号：CN117517255A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311515104.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G01N21/41 , G01N21/359
Abstract: 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种分裂椭圆型超表面折射率传感器及其制备方法，传感器包括：基底和全介质超表面结构阵列；全介质超表面结构阵列包括多个全介质超表面单元结构，多个全介质超表面单元结构周期性的排列在基底上，全介质超表面单元结构包括第一纳米柱和第二纳米柱，第一纳米柱和第二纳米柱均是沿着短轴切分的半椭圆柱，第一纳米柱和第二纳米柱相对布置且不接触，第一纳米柱和第二纳米柱的长轴在同一条直线上，且第一纳米柱和第二纳米柱的短轴均与分裂椭圆型超表面折射率传感器的边长方向的夹角为45°。本发明采用全介质材料代替具有欧姆损耗的金属材料，通过打破分裂椭圆结构的对称性获得了高品质因子的谐振峰。
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