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公开(公告)号：CN119518422B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510087122.7
申请日：2025-01-20
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种回形谐振腔的垂直腔面发射半导体激光器，包括底部VCSEL结构和两个结构相同的侧部VCSEL结构，在底部VCSEL结构的两侧设置有绝缘层，两个侧部VCSEL结构分别与底部VCSEL结构两侧的绝缘层粘接固定，两个侧部VCSEL结构的摆放方向与底部VCSEL结构的摆放方向垂直，在两个侧部VCSEL结构的一端设置有透明衬底，在透明衬底上设置有顶部DBR结构，顶部DBR结构、底部VCSEL结构与两个侧部VCSEL结构组成回形谐振腔。本发明能够实现高功率的基横模输出。
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公开(公告)号：CN119695633A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510206700.4
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种Z型腔面发射半导体激光器，包括至少两个倾斜式衬底，在每个倾斜式衬底上设置有倾斜式外延结构，相邻的两个倾斜式外延结构的倾斜方向相反，相邻的两个倾斜式外延结构形成Z型谐振腔，在相邻的两个倾斜式外延结构之间设置有间隔层，在所有倾斜式外延结构的侧面共同设置有反射涂层，在位于顶端的倾斜式外延结构的顶面分别设置有反射结构和P型电极，在P型电极覆盖在倾斜式外延结构的表面以及反射结构的非反射面，在位于底端的倾斜式衬底的底面设置有N型电极。本发明能够压窄激光器的线宽和提升输出功率。
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公开(公告)号：CN119154093B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411621305.4
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明属于密集谱合束技术领域，尤其涉及一种半导体激光光束质量自优化合束装置及方法。装置包括半导体激光器组、快轴准直镜组、慢轴准直镜组、反射镜组、体布拉格光栅组和外腔镜。每个半导体激光器的后腔面与外腔镜之间构成了谐振外腔，经过体布拉格光栅衍射后，传输到外腔镜的部分激光被外腔镜再次反射到体布拉格光栅上，体布拉格光栅的光谱选择特性将满足布拉格衍射条件的激光模式衍射进半导体激光器的芯片内，且半导体激光器的模式竞争特性会将此部分激光模式增强为主要激射模式，抑制其他杂散模式，进而降低半导体激光器的慢轴发散角，改善合束激光的光束质量。此外，体布拉格光栅按照光路角度自动将半导体激光波长调整到最高衍射效率波长。
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公开(公告)号：CN119518422A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510087122.7
申请日：2025-01-20
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种回形谐振腔的垂直腔面发射半导体激光器，包括底部VCSEL结构和两个结构相同的侧部VCSEL结构，在底部VCSEL结构的两侧设置有绝缘层，两个侧部VCSEL结构分别与底部VCSEL结构两侧的绝缘层粘接固定，两个侧部VCSEL结构的摆放方向与底部VCSEL结构的摆放方向垂直，在两个侧部VCSEL结构的一端设置有透明衬底，在透明衬底上设置有顶部DBR结构，顶部DBR结构、底部VCSEL结构与两个侧部VCSEL结构组成回形谐振腔。本发明能够实现高功率的基横模输出。
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公开(公告)号：CN119447992A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411462423.5
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明属于半导体激光器领域，具体涉及一种基于量子阱内混的增益耦合型半导体激光器，包括衬底和生长在衬底上的外延结构，外延结构包括从下至上依次层叠的下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和盖层，在有源层内制备有与有源层的增益谱范围不同的周期性量子阱内混结构。本发明在有源层内制备周期性量子阱内混结构来获得有源层内的周期性增益，具有先天的增益对比度，无论在多大电流下该增益对比度均存在，因而能够稳定实现高功率单纵模激射，获得更高的单纵模输出功率和更好的器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115000807B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202210847275.3
申请日：2022-07-19
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明提供一种基于超对称性的锥形半导体激光器及其制备方法，其中的基于超对称性的锥形半导体激光器包括量子外延片基底，在量子外延片基底上制备形成脊形波导、与脊形波导首尾相接的锥形增益波导和位于锥形增益波导两侧的超对称伴子损耗波导；其中，脊形波导用于产生近衍射极限的基模光；锥形增益波导用于对基模光进行放大；超对称伴子损耗波导与锥形增益波导的相位模式相匹配，形成超对称耦合，用于湮灭锥形增益波导中的高阶模式。本发明通过引入超对称伴子损耗波导，湮灭锥形增益波导内产生的高阶模式，提高基模光强度及光束质量，增大锥形器件的腔面灾变性损伤阈值，获得均匀的近场光强分布，实现稳定的高功率近衍射极限的激光输出。
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公开(公告)号：CN118772516B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411263960.7
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及量子点转光农膜技术领域，尤其涉及一种稀土掺杂的量子点复合转光农膜及其制备方法。转光农膜包括质量分数分别为0.2~5%的转光母粒和95~99.8%的聚合物基体；转光母粒包含质量分数10~50%的红色量子点转光剂、1~5%的绿色稀土转光剂、1~10%的助剂、以及母粒基体，红色量子点转光剂为钙钛矿量子点、II‑VI族量子点、III‑V族量子点、IV‑VI族量子点、碳量子点、硅量子点中的至少一种；绿色稀土转光剂包含Tb、Dy、Ce、Ho、Pr元素中的至少一种。优点在于：通过加入绿光稀土材料，使得在阳光的照射下绿色稀土材料吸收能量后，将能量传递给红光量子点，增强量子点的发光强度。
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公开(公告)号：CN119277615A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411763596.0
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H05B47/155 , H05B47/165 , H05B47/105 , F21V9/00 , F21V33/00 , A01G7/04 , A01G9/20 , F21Y115/30
Abstract: 本发明涉及激光农业照明装备领域，具体涉及一种激光植物调控装置、调控方法以及介质，激光植物调控装置包括底座、匀光件、控制单元、光源、驱动电路、通信单元以及传感组件，控制单元与光源、驱动电路、通信单元以及传感组件电连接，控制单元用于根据环境参数信息生成第一参考光强度信息，根据植物相关信息以及环境参数信息生成第二参考光强度信息；并根据第一参考光强度信息以及第二参考光强度信息生成光源的运行参数；控制驱动电路根据运行参数调节光源的相关参数。能够综合考虑植物的不同生长阶段以及当前环境中的环境因素对激光植物调控装置中光源的输出量进行调节，降低整个激光植物调控装置的能耗，更符合植物的生长状态，提高植物的生长速率。
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公开(公告)号：CN119267834A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411763595.6
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及植物种植补光设备技术领域，尤其涉及一种植物工厂激光补光系统。包括激光发射器、控制电路、透镜列阵、第一反射镜列阵、第二反射镜列阵；控制电路设在激光发射器上方，透镜列阵设在激光发射器下方；第一反射镜列阵和第二反射镜列阵分别设在激光发射器水平方向的两侧；激光发射器中设有准直透镜；准直透镜将激光光束准直成发散角小于0.3°的准直光束；激光发射器底面及水平方向的两侧发射口均能发射长波激光光束和短波激光光束；从激光发射器发射出的三束激光束，分别经过第一反射镜列阵的反射、第二反射镜列阵的反射以及透镜阵列的匀化，向下投射矩形光斑。优点在于：低能耗、低成本；实现了近距离大面积的高均匀性多波长激光场。
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公开(公告)号：CN119154093A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411621305.4
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明属于密集谱合束技术领域，尤其涉及一种半导体激光光束质量自优化合束装置及方法。装置包括半导体激光器组、快轴准直镜组、慢轴准直镜组、反射镜组、体布拉格光栅组和外腔镜。每个半导体激光器的后腔面与外腔镜之间构成了谐振外腔，经过体布拉格光栅衍射后，传输到外腔镜的部分激光被外腔镜再次反射到体布拉格光栅上，体布拉格光栅的光谱选择特性将满足布拉格衍射条件的激光模式衍射进半导体激光器的芯片内，且半导体激光器的模式竞争特性会将此部分激光模式增强为主要激射模式，抑制其他杂散模式，进而降低半导体激光器的慢轴发散角，改善合束激光的光束质量。此外，体布拉格光栅按照光路角度自动将半导体激光波长调整到最高衍射效率波长。
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