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公开(公告)号：CN113249119B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110550035.2
申请日：2021-05-20
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： C09K11/59
摘要： 本发明提供了一种抑制BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉中Eu3+数量的方法，属于发光材料合成技术领域，制备BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的原料中包括三价金属氧化物M2O3，M为Er、Dy、Tm中的至少一种。本发明通过在合成原料中添加三价金属氧化物M2O3，以促进在高温烧结过程中Eu3+向Eu2+的转化，通过对制备荧光粉的原料组分BaCO3、Eu2O3、M2O3、SiO2和Si3N4的含量控制，可以使BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉中的Eu3+数量可锐减到原来(原料中未添加M2O3的BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉)的3％，Eu2+对蓝紫光的吸收率从原来(原料中未添加M2O3的BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉)的61％可提升到75％，提高了23％，大大增加了荧光粉中Eu2+的数量和提升了荧光粉对蓝紫光的吸收利用率。本发明的抑制BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉中Eu3+数量的方法，操作简单，还有利于大规模生产和应用推广。
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公开(公告)号：CN113249119A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110550035.2
申请日：2021-05-20
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： C09K11/59
摘要： 本发明提供了一种抑制BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉中Eu3+数量的方法，属于发光材料合成技术领域，制备BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的原料中包括三价金属氧化物M2O3，M为Er、Dy、Tm中的至少一种。本发明通过在合成原料中添加三价金属氧化物M2O3，以促进在高温烧结过程中Eu3+向Eu2+的转化，通过对制备荧光粉的原料组分BaCO3、Eu2O3、M2O3、SiO2和Si3N4的含量控制，可以使BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉中的Eu3+数量可锐减到原来(原料中未添加M2O3的BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉)的3％，Eu2+对蓝紫光的吸收率从原来(原料中未添加M2O3的BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉)的61％可提升到75％，提高了23％，大大增加了荧光粉中Eu2+的数量和提升了荧光粉对蓝紫光的吸收利用率。本发明的抑制BaSi2O2N2:Eu2+荧光粉中Eu3+数量的方法，操作简单，还有利于大规模生产和应用推广。
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公开(公告)号：CN113249118A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110495268.7
申请日：2021-05-07
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供了一种青色力致发光材料，可在‑270℃至‑50℃的低温条件下实现材料损伤检测，其化学通式为Ba(1‑X)Si2O2N2:Eu2+(X)，其中，X的取值范围为：0.0001≤X≤0.5，其陷阱分布范围为‑270℃至400℃。本发明还提供了上述青色力致发光材料的制备方法和应用。本发明的青色力致发光材料，使用Eu2+作为光吸收中心，吸收可见光后将能量存储于电子陷阱中，用于低温条件下的检测应用，更有利于极低温下的损伤检测应用。
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公开(公告)号：CN113249126B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110549818.9
申请日：2021-05-20
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供了一种提高低温陷阱数量的青色力致发光材料，属于材料损伤检测技术领域，其化学通式为Ba(1‑X)Si(2‑Y)O2N2:Eu2+(X)Ga3+(Y)，其中，X的取值范围为：0.001≤X≤0.25，Y的取值范围为：0.0001≤Y≤0.1；其陷阱分布范围为‑270℃至400℃。本发明还提供了上述青色力致发光材料的制备方法和应用。本发明的青色力致发光材料存在‑270℃至400℃连续分布的陷阱能级，特别是‑270℃至‑70℃的陷阱能级，使用Eu2+作为光吸收中心，吸收可见光后将能量存储于电子陷阱中，用于后续的检测应用，通过引入Ga3+离子替代Si4+，形成电荷不平衡取代，可以增加氧缺陷等，增加‑270℃至‑70℃的极浅能级数量，提高了低温下损伤检测的灵敏度，扩大了应力承受范围，更有利于低温下的损伤检测应用。
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公开(公告)号：CN113249126A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110549818.9
申请日：2021-05-20
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供了一种提高低温陷阱数量的青色力致发光材料，属于材料损伤检测技术领域，其化学通式为Ba(1‑X)Si(2‑Y)O2N2:Eu2+(X)Ga3+(Y)，其中，X的取值范围为：0.001≤X≤0.25，Y的取值范围为：0.0001≤Y≤0.1；其陷阱分布范围为‑270℃至400℃。本发明还提供了上述青色力致发光材料的制备方法和应用。本发明的青色力致发光材料存在‑270℃至400℃连续分布的陷阱能级，特别是‑270℃至‑70℃的陷阱能级，使用Eu2+作为光吸收中心，吸收可见光后将能量存储于电子陷阱中，用于后续的检测应用，通过引入Ga3+离子替代Si4+，形成电荷不平衡取代，可以增加氧缺陷等，增加‑270℃至‑70℃的极浅能级数量，提高了低温下损伤检测的灵敏度，扩大了应力承受范围，更有利于低温下的损伤检测应用。
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公开(公告)号：CN113249118B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110495268.7
申请日：2021-05-07
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明提供了一种青色力致发光材料，可在‑270℃至‑50℃的低温条件下实现材料损伤检测，其化学通式为Ba(1‑X)Si2O2N2:Eu2+(X)，其中，X的取值范围为：0.0001≤X≤0.5，其陷阱分布范围为‑270℃至400℃。本发明还提供了上述青色力致发光材料的制备方法和应用。本发明的青色力致发光材料，使用Eu2+作为光吸收中心，吸收可见光后将能量存储于电子陷阱中，用于低温条件下的检测应用，更有利于极低温下的损伤检测应用。
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公开(公告)号：CN214012939U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202023018305.5
申请日：2020-12-15
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50
摘要： 本实用新型提供的类太阳光谱LED光源，通过引入多种芯片结合多种波长转换材料的技术方案，克服了传统～460nm蓝光单芯片激发荧光粉，缺乏400‑460nm光的问题；相较采用单一400‑410nm的近紫外芯片激发方案，解决了效率低、价格高的问题；通过引入700nm‑1100nm宽谱光转换材料，弥补类太阳光谱LED光源缺乏700‑1100nm的近红外光的问题，可实现对不同时段太阳光谱的模拟，应用更广，可解决传统方案光谱单一的问题。
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