本发明提供了一种提高低温陷阱数量的青色力致发光材料，属于材料损伤检测技术领域，其化学通式为Ba(1‑X)Si(2‑Y)O2N2:Eu2+(X)Ga3+(Y)，其中，X的取值范围为：0.001≤X≤0.25，Y的取值范围为：0.0001≤Y≤0.1；其陷阱分布范围为‑270℃至400℃。本发明还提供了上述青色力致发光材料的制备方法和应用。本发明的青色力致发光材料存在‑270℃至400℃连续分布的陷阱能级，特别是‑270℃至‑70℃的陷阱能级，使用Eu2+作为光吸收中心，吸收可见光后将能量存储于电子陷阱中，用于后续的检测应用，通过引入Ga3+离子替代Si4+，形成电荷不平衡取代，可以增加氧缺陷等，增加‑270℃至‑70℃的极浅能级数量，提高了低温下损伤检测的灵敏度，扩大了应力承受范围，更有利于低温下的损伤检测应用。