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公开(公告)号：CN107765101B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201711105142.4
申请日：2017-11-10
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： G01R29/02
摘要： 本发明提出一种高集成度、简单方便的多路高压脉冲监测装置。该多路高压脉冲监测装置包括对应于每一路高压脉冲单独设置的信号衰减延迟电路，各个信号衰减延迟电路的输出接入同一监测终端；各路信号衰减延迟电路根据需求的衰减倍数和系统阻抗，配置相应的电阻网络，并通过设置不同的延迟线使得各路高压脉冲在时间上有序错开、依次进入监测终端。本发明可以实现不同阻抗、不同脉冲宽度的多路高压脉冲监测。经本发明的扩展，可以适用于各类多路、多阻抗高压脉冲的监测，可广泛应用于条纹相机、分幅相、X射线管等领域。
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公开(公告)号：CN106935681B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201710058864.2
申请日：2017-01-23
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0735 , H01L31/0216 , H01L31/0232
摘要： 本发明属于超快诊断技术和半导体技术领域，具体涉及一种全光固态超快光探测器的制备方法，其特殊之处在于：包括以下步骤：1)在GaAs衬底上生长腐蚀停层，然后在腐蚀停层上低温生长2‑5um的低温GaAs作为功能材料层，所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片；2)在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR；3)在石英基片上旋涂紫外固化胶，然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上；4)将GaAs衬底逐渐减薄，直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层；5)在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。主要解决了全光固态超快光探测器制作难度高的问题。
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公开(公告)号：CN108760049A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810450530.4
申请日：2018-05-11
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
CPC分类号： G01J3/2823 , G01J3/00 , G02B1/00
摘要： 本发明涉及一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪，解决了现有紫外成像仪灵敏度低、噪声大、成本高、结构复杂、体积重量较大等问题。该紫外成像仪包括光机系统、紫外电子轰击有源像素传感器、高压选通脉冲模块、读出电子学系统、图像处理与控制系统；光机系统包括成像镜头和滤波片；高压选通脉冲模块分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接；读出电子学系统分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接；紫外电子轰击有源像素传感器包括阴极窗口、紫外光电阴极、管壳和背照式CMOS芯片；紫外光电阴极设置在阴极窗口的内表面；背照式CMOS芯片设置在管壳内部。
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公开(公告)号：CN104267421B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410521898.7
申请日：2014-09-30
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明涉及一种微通道板行波选通分幅相机MCP微带线装置及阻抗匹配方法。输出端包括并联的电阻吸收匹配通道和监测通道；监测通道用于示波器监测；电阻吸收匹配通道采用串联电阻吸收匹配；微带线装置的MCP微带线特征阻抗等于电阻吸收匹配通道与监测通道并联的等效阻抗。本发明提供了一种不仅从根本上消除阻抗不连续引起的电压反射，还可实现选通脉冲幅值与波形监测的微通道板行波选通分幅相机MCP微带线装置及阻抗匹配方法。
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公开(公告)号：CN103126710A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210579403.7
申请日：2012-12-27
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明涉及一种基于分幅相机的高时间分辨三维成像方法，该方法包括以下步骤：1）利用分幅相机获取待测目标的二维图像；2）将步骤1）所获取得到的待测目标的二维图像进行三维重建，得到具有三维视觉效果的待测目标。本发明提供了一种能获得皮秒（10-12S）时间分辨的三维图片以及可在为实验过程中直接改进激光束的形态提供可靠依据的基于分幅相机的高时间分辨三维成像方法。
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公开(公告)号：CN107834835B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201711106393.4
申请日：2017-11-10
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明提供一种高集成度高压延迟缓启动装置，能够简单可靠地实现高压电源的平稳延迟启动，避免高压过冲对光电探测器的损坏。该装置包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管；通过在“高压幅值控制端”和“高压电源”之间加入缓启动电路，其中利用RC充放电、MOS管可变阻值以及光控MOS管的结合，当MOS管Q1栅端为有效高电平，MOS管Q3跟随MOS管Q2状态缓变化，使得光控MOS管中MOS管导通，这时高压幅值控制端被强拉于“地”，随后发光二极管发光逐渐减弱，MOS由导通变为截止，高压幅值控制端缓慢变为有效输入端，则后端高压电源缓慢启动。
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公开(公告)号：CN115903004A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211544385.9
申请日：2022-12-04
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： G01T7/00
摘要： 本发明提供了一种高能宇宙射线探测用MCP寿命测试方法及系统，用于解决目前通过标记像增强器的输出亮度增益变化来评估MCP寿命的方法容易产生系统误差的技术问题。本发明的测试方法为：将电子阴极、待测MCP样品以及阳极板依次置于高真空管内，将可调光阑和高真空管依次设置在高能量光源入射光路上；关闭可调光阑，打开高能量光源并对其进行标定；依次在阳极板、待测MCP样品及电子阴极上依次施加高压电场；对可调光阑的位置和孔径大小进行调节；电子依次经待测MCP样品和阳极板进行电子倍增和电子收集后，阳极板输出电流；检测阳极板的输出电流，并以激光强度最大值为基准，将测量区间内的激光强度做归一化处理；获得待测MCP样品的寿命。
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公开(公告)号：CN113438390A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110523697.0
申请日：2021-05-13
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明针对目前行波选通分幅相机受微通道板电子渡越时间弥散制约，时间分辨率最小只能达到60ps，无法满足激光聚变诊断需求的现状，提供一种时间展宽型分幅相机及其成像方法，相机包括真空容器、光学输入窗、行波选通分幅管、光电阴极、栅网、电源系统与线圈；电源系统包括斜坡电源、选通电源与线圈电源；入射光信号透过光学输入窗入射至光电阴极转化为光电子信号，利用斜坡电源在光电阴极和栅网之间形成的微带线结构对光电子信号进行速度色散，经速度色散后的光电子信号在零电势漂移区实现时间展宽，行波选通分幅管对时间展宽后的光电子信号进行成像。可实现小于60ps的时间分辨图像，最快可达到3.3ps，比现有行波选通分幅相机时间分辨能力提高数十倍。
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公开(公告)号：CN110970511A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911386118.1
申请日：2019-12-29
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/042
摘要： 本发明属于光子增强热电子发射光电转化器件，为解决真空结构的光子增强热电子发射器件在高温下工作时，工作寿命和转化效率会降低的问题，提供纳米间隔层的全固态光子增强热电子发射光电转化器件，包括吸收层、势垒层和电极层；吸收层包括长方体状的第一吸收部，第一吸收部朝向电极层的侧面设有多个第二吸收部，第二吸收部呈矩阵状排布；各第二吸收部与电极层之间分别通过势垒层相连，势垒层与第二吸收部的排布相对应；吸收层采用禁带宽度为0.8-2.1eV的P型掺杂半导体材料，势垒层采用禁带宽度大于吸收层的半导体材料，吸收层和势垒层的异质结界面处导带能量差小于价带能量差，电极层采用金属材料，还可将上述光电转化器件采用类似串联的结构进行组装。
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公开(公告)号：CN106206213B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610565485.8
申请日：2016-07-18
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明提供一种采用MEMS工艺制备有机微通道板的方法，包括以下步骤：采用MEMS工艺制备出具有高深宽比结构的硅基基底；2)采用ALD或化学气相沉积的方法在步骤1)制备的硅基基底上沉积有机物；3)通过机械减薄方式将硅基基底表面多余的有机物去除，露出基底上表面；4)通过化学腐蚀的方式将硅基底去除，形成有机微通道；5)通过原子层沉积工艺在有机微通道内部沉积导电层和二次电子发射层，最终得到有机微通道板。本发明方法制备的有机微通道板具有介电常数低，介电损耗小的有点，能够保证分幅相机中脉冲电压的高幅度和低损耗性能，进而提高分幅相机的增益强度和增益均匀性。
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