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公开(公告)号：CN102585588B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210041120.7
申请日：2012-02-23
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)墨水的制备方法。该方法优选为：采用薄膜分散技术原位沉积合成Cu，Zn，Sn的硫化物作为制备Cu2ZnSnS4的前驱体；硫化物前驱体在真空或惰性气氛下烧结得到Cu2ZnSnS4块体；在分散剂的辅助下，将Cu2ZnSnS4块体在球磨罐中机械粉碎得到分散均匀，稳定性高的Cu2ZnSnS4墨水。本发明采用薄膜分散法来制备高质量的Cu2ZnSnS4材料前驱体，烧结温度低，设备要求简单，产率高，适用于规模化生产，且所得墨水可以用于低成本，大面积化生产Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池及其它光电器件。
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公开(公告)号：CN102585588A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210041120.7
申请日：2012-02-23
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)墨水的制备方法。该方法优选为：采用薄膜分散技术原位沉积合成Cu，Zn，Sn的硫化物作为制备Cu2ZnSnS4的前驱体；硫化物前驱体在真空或惰性气氛下烧结得到Cu2ZnSnS4块体；在分散剂的辅助下，将Cu2ZnSnS4块体在球磨罐中机械粉碎得到分散均匀，稳定性高的Cu2ZnSnS4墨水。本发明采用薄膜分散法来制备高质量的Cu2ZnSnS4材料前驱体，烧结温度低，设备要求简单，产率高，适用于规模化生产，且所得墨水可以用于低成本，大面积化生产Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池及其它光电器件。
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公开(公告)号：CN102280588B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110219803.2
申请日：2011-08-02
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底，该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层，其底面上设有金属背电极，该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线肖特基异质结，该异质结上设有ITO顶电极。进一步的，该有机导电聚合物包括PEDOT:PSS。该硅纳米线阵列及硅衬底由纯度为3-6N级的单晶或多晶硅形成，纳米线高度为3-5μm，衬底厚度为5-200μm。其制备工艺为：采用湿法刻蚀在N型硅衬底正面制备出硅纳米线阵列，然后与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线异质结，最后在硅衬底底面和异质结上分别组装金属背电极和ITO顶电极。本发明光伏电池原料用量少，成本低廉，转换效率高，且制备工艺简洁。
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公开(公告)号：CN102280588A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110219803.2
申请日：2011-08-02
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底，该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层，其底面上设有金属背电极，该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线肖特基异质结，该异质结上设有ITO顶电极。进一步的，该有机导电聚合物包括PEDOT:PSS。该硅纳米线阵列及硅衬底由纯度为3-6N级的单晶或多晶硅形成，纳米线高度为3-5μm，衬底厚度为5-200μm。其制备工艺为：采用湿法刻蚀在N型硅衬底正面制备出硅纳米线阵列，然后与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线异质结，最后在硅衬底底面和异质结上分别组装金属背电极和ITO顶电极。本发明光伏电池原料用量少，成本低廉，转换效率高，且制备工艺简洁。
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