一种阵列铜氧化物半导体传感器及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN108566735B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201711352998.1

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种阵列铜氧化物半导体传感器及其制备方法,该方法是采用无颗粒铜墨水在基底上进行导电层图案印制,经热处理后,在导电层上再打印特定图案的供铜氧化物生长的图案,再经热处理,在供铜氧化物生长的图案上实现金属氧化物纤维阵列的生长,即半导体层图案的印制。该方法无需掩膜版,可在柔性基材和非平面复杂基材表面进行图案印制,通过控制热处理条件可以调控氧化铜和氧化亚铜的比例,以及金属氧化物纤维阵列中纤维的尺寸和密度,同时生成的铜氧化物与金属铜(供铜氧化物生长的导电层图案)之间界面结合良好,在可穿戴设备和柔性电子等方面具有重大优势。

    一种以锡网为模板制备的透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108206069B

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201710479552.9

    申请日:2017-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法。所述方法是以锡化合物纤维为模板,通过在真空或还原性气氛中煅烧,得到与基板结合良好、线间具有较好连接的纳米锡网,再利用锡对导电金属化合物的还原性能,在纳米锡网表面获得导电层,从而实现透明导电薄膜的制备;由于所述金属锡网在制备过程中还原的温度高于金属锡的熔点,使得金属锡发生熔化,制备得到的透明导电薄膜中金属锡线在交叉处融合连接,还可以更好地实现与基板的结合,这种以金属锡为网线内芯的结构可降低稀贵资源的使用,有利于降低成本、提高产品价格竞争力,降低稀贵金属的利用,实现资源可持续性发展。所述制备方法简单、反应周期短、易于操作,具有大规模工业化生产的前景。

    一种医用钛铌合金制品的制备方法

    公开(公告)号:CN109926582A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201711354413.X

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种医用钛铌合金制品的制备方法,所述方法包括以下步骤:a)按照钛铌合金的化学计量比将纯钛粉末与纯铌粉末混合,所述纯钛粉末的粒径不大于53μm,所述纯铌粉末的粒径不大于30μm;b)根据制品的三维STL数据,利用选区激光熔化成型法打印成型,制备得到所述医用钛铌合金制品。所述方法具有如下优点:利用纯金属粉末代替合金化粉末制备合金,避免预制合金锭和雾化制粉等冶金过程,从而显著降低原料成本和制品的制造总成本。可以实现个性化医用制品的定制,同时可以根据仿生设计制造镂空结构(或点阵结构)的多孔骨诱导支架修复体,突破了传统制备方法在定制化复杂制品在制造方面的不足。

    一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108206070B

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201710491081.3

    申请日:2017-06-23

    Inventor: 林智杰 林锦新

    Abstract: 本发明公开了一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法,所述导电薄膜包括透明基底和覆盖其上的透明氧化物层,以及在所述透明氧化物层上的晶界处形成的金属网格;所述透明导电薄膜兼具氧化物透明导电薄膜和金属网格透明导电薄膜的优势,具有可挠曲、导电率高、透过率高和制备工艺简单等优势,所述透明导电薄膜的方阻为0.1~200Ω/sq,所述透明导电薄膜的透过率为20‑80%。本发明的制备方法采用晶界印刷法在透明氧化物层的晶界处形成金属网格,制备工艺简单,工艺环保,原料利用率高。

    一种医用钛铌合金制品的制备方法

    公开(公告)号:CN109926582B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201711354413.X

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种医用钛铌合金制品的制备方法,所述方法包括以下步骤:a)按照钛铌合金的化学计量比将纯钛粉末与纯铌粉末混合,所述纯钛粉末的粒径不大于53μm,所述纯铌粉末的粒径不大于30μm;b)根据制品的三维STL数据,利用选区激光熔化成型法打印成型,制备得到所述医用钛铌合金制品。所述方法具有如下优点:利用纯金属粉末代替合金化粉末制备合金,避免预制合金锭和雾化制粉等冶金过程,从而显著降低原料成本和制品的制造总成本。可以实现个性化医用制品的定制,同时可以根据仿生设计制造镂空结构(或点阵结构)的多孔骨诱导支架修复体,突破了传统制备方法在定制化复杂制品在制造方面的不足。

    一种阵列铜氧化物半导体传感器及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN108566735A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201711352998.1

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种阵列铜氧化物半导体传感器及其制备方法,该方法是采用无颗粒铜墨水在基底上进行导电层图案印制,经热处理后,在导电层上再打印特定图案的供铜氧化物生长的图案,再经热处理,在供铜氧化物生长的图案上实现金属氧化物纤维阵列的生长,即半导体层图案的印制。该方法无需掩膜版,可在柔性基材和非平面复杂基材表面进行图案印制,通过控制热处理条件可以调控氧化铜和氧化亚铜的比例,以及金属氧化物纤维阵列中纤维的尺寸和密度,同时生成的铜氧化物与金属铜(供铜氧化物生长的导电层图案)之间界面结合良好,在可穿戴设备和柔性电子等方面具有重大优势。

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