公开(公告)号：CN109778146B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201910095020.4

申请日：2019-01-30

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 邵涛 ,  张鹏浩 ,  孔飞 ,  章程 ,  严萍

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/515 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/54

摘要： 本发明属于等离子体放电技术领域，具体涉及一种等离子体沉积装置及沉积方法。该装置包括至少一个等离子激发器、等离子体前驱体制备器、薄膜输出装置和薄膜收集装置；所述等离子激发器包括若干电极、阻挡介质、间隙；所述电极外表面具有若干突起，所述电极外部包覆有阻挡介质。该装置通过在电极上设置若干突起，可以提高该突起附近区域的局部电场，提高该区域的施加电压，进而减小间隙击穿电压，降低装置能正常工作的最低激发电压和维持介质阻挡放电所需的工作电压；在放电过程中，若干突起会气化和电离，使电极表面恢复平整，使放电更加均匀。此外，使用该装置沉积得到的薄膜均匀、致密、介电常数高、介质损耗小，且绝缘性能好。

公开(公告)号：CN110129771B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201910307366.6

申请日：2019-04-16

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 邵涛 ,  孔飞 ,  章程 ,  张帅 ,  张鹏浩

IPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/54 ,  C23C16/515

摘要： 本发明涉及镀膜技术领域，具体涉及一种薄膜沉积镀膜系统，其包括：至少一组后处理装置，包括靠近所述薄膜两面并相对设置的高压电极板和接地电极板，所述高压电极板靠近所述薄膜的一面设置有用于镀膜老练的局部放电结构。本发明的薄膜沉积镀膜系统能够使电容器薄膜镀膜后薄膜表面较为平整、提高薄膜镀层的绝缘性能和稳定性能。

公开(公告)号：CN110129771A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910307366.6

申请日：2019-04-16

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 邵涛 ,  孔飞 ,  章程 ,  张帅 ,  张鹏浩

IPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/54 ,  C23C16/515

摘要： 本发明涉及镀膜技术领域，具体涉及一种薄膜沉积镀膜系统，其包括：至少一组后处理装置，包括靠近所述薄膜两面并相对设置的高压电极板和接地电极板，所述高压电极板靠近所述薄膜的一面设置有用于镀膜老练的局部放电结构。本发明的薄膜沉积镀膜系统能够使电容器薄膜镀膜后薄膜表面较为平整、提高薄膜镀层的绝缘性能和稳定性能。

公开(公告)号：CN109778146A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910095020.4

申请日：2019-01-30

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 邵涛 ,  张鹏浩 ,  孔飞 ,  章程 ,  严萍

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/515 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/54

摘要： 本发明属于等离子体放电技术领域，具体涉及一种等离子体沉积装置及沉积方法。该装置包括至少一个等离子激发器、等离子体前驱体制备器、薄膜输出装置和薄膜收集装置；所述等离子激发器包括若干电极、阻挡介质、间隙；所述电极外表面具有若干突起，所述电极外部包覆有阻挡介质。该装置通过在电极上设置若干突起，可以提高该突起附近区域的局部电场，提高该区域的施加电压，进而减小间隙击穿电压，降低装置能正常工作的最低激发电压和维持介质阻挡放电所需的工作电压；在放电过程中，若干突起会气化和电离，使电极表面恢复平整，使放电更加均匀。此外，使用该装置沉积得到的薄膜均匀、致密、介电常数高、介质损耗小，且绝缘性能好。