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公开(公告)号:CN109141260A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201811228419.7
申请日:2018-10-22
申请人: 中国科学院电子学研究所
CPC分类号: G01B11/06 , G01N15/088 , G01N2015/0846 , G01N2015/086
摘要: 一种多孔膜厚度与孔隙率二维分布测定方法,包括:获得包含透明基底/缓冲膜/待测多孔膜的共振芯片;以宽带线偏振平行光为入射光,利用高光谱成像装置获取共振芯片的一实测共振图像和至少一组实测共振光谱;确定第一实测共振图像每一像素区域的至少两个实测共振波长;分别在至少两个实测共振波长所对应的测试条件下,通过仿真拟合求取表征每一像素区域处待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的至少两个函数;求取同时满足该至少两个函数的孔隙率和厚度,即为每一像素区域位置处待测多孔膜的孔隙率和厚度。本发明具有原位实时、测量精度高、无破坏性等特点。
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公开(公告)号:CN109141260B
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN201811228419.7
申请日:2018-10-22
申请人: 中国科学院电子学研究所
摘要: 一种多孔膜厚度与孔隙率二维分布测定方法,包括:获得包含透明基底/缓冲膜/待测多孔膜的共振芯片;以宽带线偏振平行光为入射光,利用高光谱成像装置获取共振芯片的一实测共振图像和至少一组实测共振光谱;确定第一实测共振图像每一像素区域的至少两个实测共振波长;分别在至少两个实测共振波长所对应的测试条件下,通过仿真拟合求取表征每一像素区域处待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的至少两个函数;求取同时满足该至少两个函数的孔隙率和厚度,即为每一像素区域位置处待测多孔膜的孔隙率和厚度。本发明具有原位实时、测量精度高、无破坏性等特点。
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