公开(公告)号：CN115968246A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202111186841.2

申请日：2021-10-12

申请人： 中国科学院物理研究所 ,  国网上海市电力公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 万蔡华 ,  韩秀峰 ,  司文荣 ,  王翼展 ,  梁云 ,  陈川 ,  黄辉

IPC分类号： H10N15/20

摘要： 本发明涉及基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件。根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度，在第二方向上输出电压信号，所述第二方向基本垂直于所述第一方向。

公开(公告)号：CN117872232A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410051691.1

申请日：2024-01-12

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  王翼展 ,  陈鹏 ,  丰家峰 ,  万蔡华 ,  刘厚方 ,  魏红祥 ,  于国强

IPC分类号： G01R33/00 ,  G01R33/04

摘要： 本发明涉及磁敏传感器及其制备方法、电子设备。根据一实施例，一种磁敏传感器可包括：磁性多层膜结构，包括依次形成在衬底上的自由磁层、中间层和参考磁层，所述自由磁层在第一面内方向上具有比所述参考磁层更大的长度；绝缘层，形成在所述衬底上，并且覆盖所述磁性多层膜结构的侧壁以及所述自由磁层的未被所述参考磁层覆盖的部分的上表面；以及磁通聚集层，形成在所述绝缘层上，并且通过所述绝缘层与所述磁性多层膜结构间隔开。