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公开(公告)号：CN108877976A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810708522.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所 , 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明涉及一种适用于长期载人任务的空间高能质子组合辐射防护结构，所涉及的结构为铝蒙皮、水箱、水、含硼聚乙烯结构板、高密度聚乙烯、GD414胶组成，第一层采用载人航天器铝蒙皮结构，第二层为水箱，第三层是吸收前两层产生次级中子和质子的含硼聚乙烯结构板，最后一层为进一步降低次级粒子在人体中产生能量沉积的聚乙烯材料；以质量屏蔽面密度为基础，构建了组合防护结构的分析模型，根据蒙特卡洛对太阳质子事件能谱的抽样分析方法，分析获得了组合辐射防护结构后的人体组织辐射剂量。采用本发明设计的组合辐射防护结构，在相同质量屏蔽面密度下，相比于单一铝防护结构，将太阳质子事件在人体组织中沉积的辐射剂量降低39%左右。
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公开(公告)号：CN117148410A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311123782.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种浮栅晶体管达次级电子平衡时灵敏区吸收剂量的计算方法，解决目前射线辐照浮栅晶体管难以快速精确确定实现次级电子平衡时浮栅晶体管灵敏区吸收剂量的问题。本发明包括如下步骤：步骤1，计算射线在不同材料的深度‑剂量曲线；步骤2，获得实际用浮栅晶体管结构数据；步骤3，步骤2中的数据，计算浮栅晶体管添加前平衡层后氧化层的吸收剂量与浮栅晶体管达到次级电子平衡时氧化层的吸收剂量比值等于1时浮栅晶体管灵敏区的吸收剂量；步骤4，若比值不等于1，使用多射线辐照浮栅晶体管，计算射线辐照下对应的剂量转化因子DF，根据DF值，精确的得到实际情况下该射线辐照浮栅晶体管时，浮栅晶体管灵敏区的吸收剂量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113568028A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110842992.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验；每组应力试验后，对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试；最后，依据辐射剂量传感器的响应灵敏度，计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围，以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试，测试合格的受试样品继续下一组的应力试验，三组应力试验都通过的样品判定为合格；本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法，在航天领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113484902A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110840125.5
申请日：2021-07-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内，开展4个不同温度环境下的应力试验，利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids‑Vgs进行在线测试，获得Ids‑Vgs曲线簇，并提取出辐射剂量传感器的零温度系数电流值Iztc。再利用电子电路基本原理建立恒流源电路模块为辐射剂量传感器提供恒流Iztc，使得PMOS剂量计温度效应受到抑制，从而保证PMOS剂量计辐射剂量的测量精度。该方法可提高用于探测空间电子元器件被辐照后经电离过程中产生的吸收剂量设备PMOS剂量计的测量精度，为航天器的设计、电子元器件及电子设备可靠性应用提供重要数据支撑，实用性强。
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公开(公告)号：CN113568028B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110842992.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温循环应力和室温应力三组老炼试验；每组应力试验后，对受试样品的输出转移特性曲线或输出信号进行测试；最后，依据辐射剂量传感器的响应灵敏度，计算出允许的剂量响应参数漂移误差范围，以此判定每组应力试验后受试样品是否通过测试，测试合格的受试样品继续下一组的应力试验，三组应力试验都通过的样品判定为合格；本发明提供的一种对星用辐射剂量传感器进行老炼筛选的方法，在航天领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116148912A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211714637.8
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提高了辐射剂量的测量量程，进而对辐射过程进行精准控制。
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公开(公告)号：CN110221336A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910548534.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种基于PMOS剂量计的多点测量方法，该方法中涉及探测器是由多点的辐照传感器、多通道选择模块、数据采集模块、电流注入模块、控制模块和PC机组成，所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与多通道选择模块和数据采集模块相连；电流注入模块与多通道选择模块相连；数据采集模块输入端与多点辐照传感器端、控制模块端相连，输出端与PC机相连；多通道选择模块输入端与电流注入模块、控制模块相连，输出端与多点辐照传感器相连；该方法在保持PMOS剂量仪现有的性能指标的前提下，有效的实现在线的多点测量。
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