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公开(公告)号：CN117148410A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311123782.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种浮栅晶体管达次级电子平衡时灵敏区吸收剂量的计算方法，解决目前射线辐照浮栅晶体管难以快速精确确定实现次级电子平衡时浮栅晶体管灵敏区吸收剂量的问题。本发明包括如下步骤：步骤1，计算射线在不同材料的深度‑剂量曲线；步骤2，获得实际用浮栅晶体管结构数据；步骤3，步骤2中的数据，计算浮栅晶体管添加前平衡层后氧化层的吸收剂量与浮栅晶体管达到次级电子平衡时氧化层的吸收剂量比值等于1时浮栅晶体管灵敏区的吸收剂量；步骤4，若比值不等于1，使用多射线辐照浮栅晶体管，计算射线辐照下对应的剂量转化因子DF，根据DF值，精确的得到实际情况下该射线辐照浮栅晶体管时，浮栅晶体管灵敏区的吸收剂量。
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