公开(公告)号：CN105316764B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201410245947.9

申请日：2014-06-04

申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所

发明人： 潘世烈 ,  蒋相站 ,  韩健 ,  董孝宇 ,  王西安

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B7/10 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

摘要： 本发明涉及一种化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为Ca2B5O9OH·H2O，分子量为313.23，晶体属于单斜晶系，空间群Cc，晶胞参数为a=10.780(3) Å，b=6.5110(19) Å，c=12.339(4) Å，β=115.057(19)°，V=784.6(4) Å3。采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法得到化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体，该晶体其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的2倍，其紫外截止边在190 nm以下，可作为深紫外非线性光学晶体。该晶体具有操作简单，成本低，原料毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN105316764A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410245947.9

申请日：2014-06-04

申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所

发明人： 潘世烈 ,  蒋相站 ,  韩健 ,  董孝宇 ,  王西安

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B7/10 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

摘要： 本发明涉及一种化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为Ca2B5O9OH·H2O，分子量为313.23，晶体属于单斜晶系，空间群Cc，晶胞参数为a=10.780(3)？，b=6.5110(19)？，c=12.339(4)？，β=115.057(19)°，V=784.6(4)？3。采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法得到化合物一水一羟基五硼酸钙非线性光学晶体，该晶体其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的2倍，其紫外截止边在190nm以下，可作为深紫外非线性光学晶体。该晶体具有操作简单，成本低，原料毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。