公开(公告)号：CN119008148A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411274808.9

申请日：2024-09-12

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 孔雯雯 ,  杨博 ,  宋育贤 ,  高博 ,  窦盈莹 ,  常爱民

IPC: H01C7/00 ,  H01C7/04 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明提供了一种热敏薄膜电阻及其制备方法；通过包括衬底，衬底上设置有第一热敏薄膜层，第一热敏薄膜层上设置有叉指金属电极层，叉指金属电极层的的间隔处填充设置有热敏材料填充层，热敏材料填充层的厚度与叉指金属电极层的厚度一致，热敏材料填充层与叉指金属电极层上覆盖设置有第二热敏薄膜层，叉指金属电极层的两端分别设置有第一电极端以及第二电级端；通过上下堆叠的方法使叉指金属电极层包覆于第一热敏薄膜层以及第二热敏薄膜层之间，在施加恒定电流工作时使叉指金属电极层、第一热敏薄膜层以及第二热敏薄膜层形成并联通路；更小的体积和表面积使得热敏元件具有更低的体积热容，带来了响应速度和灵敏度方面的性能提升。

公开(公告)号：CN119984427A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510274363.2

申请日：2025-03-10

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所 ,  中科传感(佛山)科技有限公司

Inventor： 孔雯雯 ,  杨博 ,  王鑫淼 ,  窦盈莹 ,  宋育贤 ,  何啟铭

IPC: G01F1/692

Abstract: 本发明涉及一种高灵敏热式流量传感元件及其制备方法，该传感元件是由流量芯片和流量通道件两大部分组成，为获得高灵敏性能优势，本发明选择具有高TCR特点的热敏薄膜作为测温单元材料，选择低厚度、低热导率、低热容量的材料作为芯片衬底；采用多层图形光刻和薄膜生长制备完成，制备完成的传感芯片中加热单元提供稳定的温度场，同时高灵敏度的测温单元更加精确、快速的实时测量温度场的变化，并根据温差信号获得流速和流向，有利于测量更低流速的流量。有效避免了传统硅基衬底流量传感芯片需通过刻蚀、减薄等复杂微纳加工工序才能实现灵敏度提升的问题，提升了热式流量传感芯片的性能和制备效率、极大地降低了成本，具有产业化推广价值。

公开(公告)号：CN119245854A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411532471.7

申请日：2024-10-29

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 孔雯雯 ,  宋育贤 ,  高博 ,  杨博

IPC: G01K7/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04 ,  H05B3/20 ,  H05B3/03 ,  H05B3/02 ,  H05B3/14 ,  F26B21/00 ,  F26B21/14

Abstract: 本发明提供了一种薄膜型集成控温芯片材料及制备方法，该方法是由衬底，绝缘缓冲层，加热薄膜，热敏薄膜，叉指电极，端电极和绝缘层组成，在衬底上生长了绝缘缓冲层，加热薄膜，热敏薄膜，电极及绝缘层，不同的功能薄膜采用复合方式生长构成集成式控温芯片。通过调整薄膜的种类和生长制备条件，实现对加热性能及测温灵敏度的调控。该薄膜型集成控温芯片材料结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的敏感度高。通过镀膜工艺与半导体工艺的兼容，实现了薄膜从基础研究向实用化研究转变的过程。解决了现有技术中加热器和热敏电阻之间割裂的问题，将加热薄膜和负温度系数测温薄膜有机的整合在一起，使其测温精度有效提高。同时较小的体积也为其扩宽了应用渠道。

公开(公告)号：CN119220947A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411349356.6

申请日：2024-09-26

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 孔雯雯 ,  宋育贤 ,  高博 ,  杨博

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供了一种溶剂热低温成相的负温度系数柔性热敏薄膜的制备方法。该方法在衬底上生长了绝缘缓冲层，负温度系数热敏薄膜及电极，负温度系数热敏薄膜在常温条件下利用溶剂热的方式基于过渡金属薄膜实现。通过调控薄膜的种类，生长制备条件以及溶剂热的溶剂及温度，实现薄膜的负温度系数特性及灵敏度的调控。该柔性热敏薄膜结构简单，质量轻薄，同时薄膜的结晶度优异，对温度灵敏度高。通过镀膜工艺和溶剂热退火工艺的结合，实现了陶瓷薄膜低温退火成相，促使柔性热敏薄膜的性能得到质的提升。本发明有效解决了聚合物基陶瓷薄膜的高温退火及成相问题，使薄膜测温精度提高，可广泛运用于各种复杂条件精确测温。

公开(公告)号：CN119521837A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411661263.7

申请日：2024-11-20

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 窦盈莹 ,  孔雯雯 ,  余江涛 ,  杨博 ,  常爱民

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/20 ,  H10F30/21 ,  H10F77/12 ,  G01J5/00 ,  G01J5/08 ,  G01J5/52

Abstract: 本发明公开一种过渡金属氧化物薄膜与金属‑介电层‑金属结构复合的红外温度探测器的制备方法，该方法包括过渡金属氧化物薄膜的制备、叉指电极的制备、介电层的制备和金属阵列层的制备步骤，其中金属阵列结构是通过光刻结合磁控溅射的方式在介电层表面制得，用作金属‑介电层‑金属红外吸收结构的第二金属层。本发明所述方法获得的红外温度探测器实现了过渡金属氧化物薄膜与金属‑介电层‑金属结构的复合，过渡金属氧化物薄膜作为探测器的感温测温层，金属‑介电层‑金属结构作为红外响应层，制备的红外温度探测器获得高黑体红外响应率。本发明工艺难度低，成本可控。解决现有工艺问题。