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公开(公告)号：CN118055625A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410193346.1
申请日：2024-02-21
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种P型碳纳米管场效应晶体管的抗总剂量辐射加固方法，主要解决现有加固技术无法兼顾低成本与高性能的技术问题。该方法包括以下步骤：【1】试验样品选择；【2】辐照前参数测试；【3】总剂量辐照试验；【4】辐照后参数测试；【5】重复步骤【3】与步骤【4】，获取多个辐照后的转移特性曲线；【6】建立试验样品辐射损伤敏感度与背栅电压的映射关系；【7】获取P型碳纳米管场效应晶体管的最佳背栅电压，将该最佳背栅电压赋予该类晶体管的背栅端，即可实现该类晶体管的抗总剂量辐射加固。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，即可实现碳纳米管场效应晶体管的低成本抗总剂量加固。
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