用于元器件电离辐照的X射线辐照方法

    公开(公告)号:CN105976888B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201610516217.7

    申请日:2016-07-04

    Abstract: 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法,该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成,该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调,且可以去除低能散射对辐照结果的影响,为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件,对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。

    用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法

    公开(公告)号:CN106932174A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710130429.6

    申请日:2017-03-07

    CPC classification number: G01M11/00

    Abstract: 本发明涉及一种用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法,该方法通过整幅图像输出来计算相对光谱响应,结合校准过的参考探测器,实现焦平面成像器件绝对光谱响应的测量;并以光阑对照射到参考探测器及焦平面成像器件上的光斑进行约束,使测量结果不受光斑形状、对称性、均匀性的影响。该方法相比于现有测量方法,解决了单色光均匀化后光强小、测量适用性差等问题,避免了焦平面局部缺陷对测量结果的影响,并且对测量设备的要求较低。作为一种焦平面绝对光谱响应测量的通用方法,可大大降低测量成本、显著缩短测量时间,其推广应用具有重要的经济效益与应用价值。

    用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备

    公开(公告)号:CN106199372A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610516216.2

    申请日:2016-07-04

    CPC classification number: G01R31/265 G01R31/303

    Abstract: 本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备,该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成,该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测;并实现辐照测试的一体化、操作的自动化,可显著提高辐照与测试的稳定性与效率。该设备直接对晶片级器件进行试验,摒除了器件封装材料、封装结构、引线及封装过程引入的一些不确定因素的影响,可显著降低参数提取的偏差;消除了辐照、测试环境交替以及测试时间延迟给试验结果带来的影响。

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