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公开(公告)号:CN102646071B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201210037948.5
申请日:2012-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明公开了一种单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法,该装置包括:监控单元,用于监测高速缓存中Data静态存储器写端口的数据和命中信号,如果发生写命中则将待写数据和对应地址的Tag写入缓冲单元;缓冲单元,用于存储和缓冲写命中数据和Tag,并且在操作后将当前缓冲器的状态进行及时的更新;写回单元,用于监测下一次写操作的查询周期,并在这个周期将缓冲单元中的待写回数据写入到高速缓存的Data静态存储器中;命中判定单元,用于判断当前的读操作是否命中了缓冲单元,如果是则将缓冲单元的数据传递给总线,并通知读操作完成。本发明采用缓冲写回和流水线技术,使得单周期即可完成高速缓存写命中操作,有利于系统芯片整体性能提高。
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公开(公告)号:CN102646071A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210037948.5
申请日:2012-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明公开了一种单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法,该装置包括:监控单元,用于监测高速缓存中Data静态存储器写端口的数据和命中信号,如果发生写命中则将待写数据和对应地址的Tag写入缓冲单元;缓冲单元,用于存储和缓冲写命中数据和Tag,并且在操作后将当前缓冲器的状态进行及时的更新;写回单元,用于监测下一次写操作的查询周期,并在这个周期将缓冲单元中的待写回数据写入到高速缓存的Data静态存储器中;命中判定单元,用于判断当前的读操作是否命中了缓冲单元,如果是则将缓冲单元的数据传递给总线,并通知读操作完成。本发明采用缓冲写回和流水线技术,使得单周期即可完成高速缓存写命中操作,有利于系统芯片整体性能提高。
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