公开(公告)号：CN105207660A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510580691.1

申请日：2015-09-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵建中 ,  曹成成 ,  蒋见花 ,  刘海南 ,  周玉梅

IPC: H03K19/0175 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F3/45237

Abstract: 本发明提供了一种差模反馈电路，包括：发送器主体电路，包括：第三、第四、第五PMOS管，第三、第四NMOS管，以及由第一、第二PMOS开关管、第一、第二NMOS开关管和第一、第二负载电阻组成的互补桥式开关管；差模取样电路，包括：第九、第十、第十一PMOS电流镜管、第一运算放大器、第一、第二电阻；反馈电路，包括：第五、第六、第七、第八NMOS电流镜管，第六、第七、第八PMOS电流镜管以及第二运算放大器。本发明能解决MLVD发送器的负载阻抗受总线阻抗影响差分输出幅度不稳定问题。本发明的电路结构简单、实现容易，可提高发送器在总线应用中阻抗变化的适应能力，并且能减小输出信号的过冲。

公开(公告)号：CN105207660B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201510580691.1

申请日：2015-09-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵建中 ,  曹成成 ,  蒋见花 ,  刘海南 ,  周玉梅

IPC: H03K19/0175 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F3/45237

Abstract: 本发明提供了一种差模反馈电路，包括：发送器主体电路，包括：第三、第四、第五PMOS管，第三、第四NMOS管，以及由第一、第二PMOS管、第一、第二NMOS管和第一、第二负载电阻组成的互补桥式开关管；差模取样电路，包括：第九、第十、第十一PMOS管、第一运算放大器、第一、第二电阻；反馈电路，包括：第五、第六、第七、第八NMOS管，第六、第七、第八PMOS管以及第二运算放大器。本发明能解决MLVD发送器的负载阻抗受总线阻抗影响差分输出幅度不稳定问题。本发明的电路结构简单、实现容易，可提高发送器在总线应用中阻抗变化的适应能力，并且能减小输出信号的过冲。

公开(公告)号：CN105207661A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510601525.5

申请日：2015-09-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵建中 ,  曹成成 ,  蒋见花 ,  刘海南 ,  周玉梅

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明提供了一种多点低压差分信号发送器，包括：发送器主体，所述发送器主体为双电流模发送器结构，包括：第一、第二PMOS电流镜管，第一、第二NMOS电流镜管，以及由第一、第二PMOS开关管和第一、第二NMOS开关管组成的互补桥式开关管；其中，所述第一PMOS电流源管的源端接电源电压，第一NMOS电流源管的源端接地，互补桥式开关管接在第一PMOS电流源管和第一NMOS电流源管的漏端，第二PMOS电流镜管的源端和漏端分别接电源电压和第一电流源，第二NMOS电流镜管的源端和漏端分别连接地和第二电流源；泄流平波电路由第一二极管、第二二极管和第一开关串联组成，与所述互补桥式开关管并联。本发明通过引入电流泄放通路补偿电流源漏端的阻抗，解决了输出过冲问题，提高电路性能。