公开(公告)号：CN106206323B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201610794235.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 宋凌云 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  邓小川 ,  白云 ,  郭飞 ,  柏思宇

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明通过离子注入在第三P阱区形成温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区，温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区形成PN结二极管。通过在碳化硅VDMOS器件P阱中集成PN结温度传感器，实现了碳化硅器件内部温度的即时检测，并且可以应用于高温时的温度检测，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销，和现有的VDMOS制作工艺有良好的兼容性。

公开(公告)号：CN105957886A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610488399.1

申请日：2016-06-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 郭飞 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  张有润 ,  白云 ,  杨成樾 ,  宋凌云 ,  柏思宇 ,  彭朝阳

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/161 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7308

Abstract: 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。

公开(公告)号：CN105957886B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610488399.1

申请日：2016-06-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 郭飞 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  张有润 ,  白云 ,  杨成樾 ,  宋凌云 ,  柏思宇 ,  彭朝阳

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/161 ,  H01L29/47

Abstract: 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。

公开(公告)号：CN106158985A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610819460.6

申请日：2016-09-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汤益丹 ,  邓小川 ,  白云 ,  郭飞 ,  宋凌云 ,  杨成樾

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/6606

Abstract: 一种碳化硅结势垒肖特基二极管，包括：碳化硅N型衬底；碳化硅N型漂移区、碳化硅P型层，依次层叠于所述碳化硅N型衬底的上表面上；在所述碳化硅P型层顶部垂直向下开设有多个凹槽，所述凹槽的深度d满足d2＜d＜d1+d2，其中d1为所述碳化硅N型漂移区的厚度，d2为所述碳化硅P型层的厚度；P+注入层，设置于所述多个凹槽底部；以及阳极电极，至少形成于所述多个凹槽的侧壁上，该碳化硅结势垒肖特基二极管利用侧壁的面积优势增大电流导通面积，增大导通的电流，节省芯片面积，且加强了耗尽夹断的能力，降低了反偏时的泄漏电流，提高了反偏时的器件可靠性。

公开(公告)号：CN106206323A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610794235.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 宋凌云 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  邓小川 ,  白云 ,  郭飞 ,  柏思宇

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L29/7817

Abstract: 本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明通过离子注入在第三P阱区形成温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区，温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区形成PN结二极管。通过在碳化硅VDMOS器件P阱中集成PN结温度传感器，实现了碳化硅器件内部温度的即时检测，并且可以应用于高温时的温度检测，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销，和现有的VDMOS制作工艺有良好的兼容性。