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公开(公告)号：CN105785724A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610342206.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70125 , G03F7/70508 , G03F7/70591
Abstract: 本发明提供一种掩膜图形的优化方法及系统，采用的目标函数为部分相干光源照明、预定焦深范围内不同离焦量下光刻空间像强度分布所对应的图形位置偏移量对离焦量的斜率，该目标函数以光刻成像理论为基础并结合最优化算法，以投影物镜系统最佳焦平面位置的测量灵敏度的评价函数，获得与照明方式相匹配的具有优化的透过率和相位的掩膜图形，可以有效提高部分相干光源照明条件下的最佳焦平面位置的测量灵敏度。同时，通过该优化方法获得的掩膜图形是基于相移掩膜测量原理，在用于最佳焦平面位置的测量时，不需要专门的测量设备和复杂的传感器，可以有效的降低测量成本。
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公开(公告)号：CN106707684A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510474182.0
申请日：2015-08-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法及装置，包括：阻光区，包括具有一定宽度的至少一个阻光图形；透光区，包括具有一定宽度的至少一个透光图形；测试图形区，包括至少两种测试图形，所述测试图形为具有一定深度及一定宽度的图形，使得通过所述测试图形的透射光与通过所述透光区的透射光之间的相位差为90°的整数倍，且透射光相应负一级和负二级衍射光的振幅为0；所述阻光区、测试图形区、透光区依序相连，形成于透明基板上。利用本发明提供的测试掩膜版确定光刻机的最佳焦面位置，由于获取的焦面偏移量与图形偏移量的比值更大，从而提高检测光刻机的最佳焦距的灵敏度，以提升光刻精准度。
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公开(公告)号：CN105425532A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510810017.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光源掩模协同优化方法，包括：输入初始参数；选择部分输入版图参与优化；进行光源掩模协同优化，得到满足光刻工艺条件的优化光源；调整掩模可制造性规则，重新进行版图优化；根据能否满足工艺条件，确定成本最低的掩模可制造性规则；根据确定的可制造性规则，对所有的输入版图进行版图优化；获得最终的优化版图。该方法在进行光源掩模协同优化过程中，可以对掩模可制造性进行规则优化，使得优化后的掩模版制造成本以及缺陷数量降低，还减少了参与协同优化的掩模版图图形数量，提高了优化效率。
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公开(公告)号：CN105574293B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610068977.6
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发明还公开了一种极紫外光刻的成像建模方法。本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。
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公开(公告)号：CN106773541B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201611184182.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法，包括：获得标准版图几何信息数据库，获得待匹配版图几何信息，将待匹配版图几何信息和标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配，根据匹配结果选取第一标准版图，将第一标准版图所对应的光刻解决方案作为待匹配版图的光刻解决方案候选，预测待匹配版图的光刻解决方案。解决了现有技术中不能分析未知或未受检测的几何图形组合、不能为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案、无法直观反馈版图设计缺陷的问题。达到了为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案，直观反馈版图设计缺陷的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106707684B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201510474182.0
申请日：2015-08-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法，包括：阻光区，包括具有设定宽度的至少一个阻光图形；透光区，包括具有设定宽度的至少一个透光图形；测试图形区，包括至少两种测试图形，所述测试图形为具有设定深度及设定宽度的图形，使得通过所述测试图形的透射光与通过所述透光区的透射光之间的相位差为90°的整数倍，且透射光相应负一级和负二级衍射光的振幅为0；所述阻光区、测试图形区、透光区依序相连，形成于透明基板上。利用本发明提供的测试掩膜版确定光刻机的最佳焦面位置，由于获取的焦面偏移量与图形偏移量的比值更大，从而提高检测光刻机的最佳焦距的灵敏度，以提升光刻精准度。
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公开(公告)号：CN106773541A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611184182.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法，包括：获得标准版图几何信息数据库，获得待匹配版图几何信息，将待匹配版图几何信息和标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配，根据匹配结果选取第一标准版图，将第一标准版图所对应的光刻解决方案作为待匹配版图的光刻解决方案候选，预测待匹配版图的光刻解决方案。解决了现有技术中不能分析未知或未受检测的几何图形组合、不能为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案、无法直观反馈版图设计缺陷的问题。达到了为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案，直观反馈版图设计缺陷的技术效果。
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公开(公告)号：CN105574293A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610068977.6
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了EUV的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发明还公开了一种极紫外光刻的成像建模方法。本方法将芯片设计规则优化引入SMO流程中，得到设计目标图形和先进SMO联合优化方法，在保证器件尺寸不变情况下，微调部分器件版图线宽及间距，从而提高整体工艺窗口，节省了优化的时间，同时又达到增大复合工艺窗口的目的。
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公开(公告)号：CN105425532B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201510810017.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光源掩模协同优化方法，包括：输入初始参数；选择部分输入版图参与优化；进行光源掩模协同优化，得到满足光刻工艺条件的优化光源；调整掩模可制造性规则，重新进行版图优化；根据能否满足工艺条件，确定成本最低的掩模可制造性规则；根据确定的可制造性规则，对所有的输入版图进行版图优化；获得最终的优化版图。该方法在进行光源掩模协同优化过程中，可以对掩模可制造性进行规则优化，使得优化后的掩模版制造成本以及缺陷数量降低，还减少了参与协同优化的掩模版图图形数量，提高了优化效率。
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公开(公告)号：CN105785724B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610342206.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种掩膜图形的优化方法及系统，采用的目标函数为部分相干光源照明、预定焦深范围内不同离焦量下光刻空间像强度分布所对应的图形位置偏移量对离焦量的斜率，该目标函数以光刻成像理论为基础并结合最优化算法，以投影物镜系统最佳焦平面位置的测量灵敏度的评价函数，获得与照明方式相匹配的具有优化的透过率和相位的掩膜图形，可以有效提高部分相干光源照明条件下的最佳焦平面位置的测量灵敏度。同时，通过该优化方法获得的掩膜图形是基于相移掩膜测量原理，在用于最佳焦平面位置的测量时，不需要专门的测量设备和复杂的传感器，可以有效的降低测量成本。
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