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发明公开
一种导电高熵过渡金属碳化物陶瓷及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN117865676A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311667871.4

申请日：2023-12-07

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 刘泽华 , 何怡清 , 黄政仁 , 吴海波 , 吴西士 , 刘欢

IPC: C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/622

Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，涉及一种导电高熵过渡金属碳化物陶瓷及其制备方法和应用。所述高熵过渡金属碳化物陶瓷的分子式为(Hf0.2‑aTa0.2‑bZr0.2‑cW0.2‑dNb0.2‑e)CxN1‑x，0≤|a|＜0.2，0≤|b|＜0.2，0≤|c|＜0.2，0≤|d|＜0.2，0≤|e|＜0.2，0≤x≤1。本发明提供的高熵过渡金属碳化物陶瓷具有优异的力学性能和导电性，可对陶瓷材料实现低成本电火花加工，为低成本制备复杂形状高熵碳化物陶瓷部件件提供一种新思路。

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