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发明公开
硅基III-V族模斑转换集成激光器及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117080861A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311110708.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程焜 , 赵超 , 占文康 , 徐波 , 王占国

IPC: H01S5/10 , H01S5/065 , H01S5/343

Abstract: 本公开提供一种硅基III‑V族模斑转换集成激光器制备方法，包括：在无偏角标准SOI的第一区域制备波导结构；对无偏角标准SOI的第二区域进行处理以暴露出硅衬底并在硅衬底上制备单畴锑化物缓冲层；在单畴锑化物缓冲层上制备砷化物外延层；在砷化物外延层上引入In元素制备位错捕获层；以及在位错捕获层上进行选区外延以制备激光器结构层和模斑转换器结构层，完成硅基III‑V族模斑转换集成激光器的制备。同时，还提供一种通过上述制备方法制备的硅基III‑V族模斑转换集成激光器。

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