公开(公告)号：CN120018626A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510129629.4

申请日：2025-02-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王硕 ,  牛智川 ,  郝宏玥 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  王国伟 ,  蒋洞微 ,  倪海桥 ,  张世豪

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/30 ,  H10F30/24 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括：衬底、外延层、钝化层和金属电极，所述外延层包括缓冲层、第一欧姆接触层、集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层，所述第一欧姆接触层上设有第一台阶，使得第一台阶内侧的第一欧姆接触层和集电层形成台柱结构，所述集电层上设有第二台阶，使得第二台阶内侧的集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层形成微柱结构。本发明通过双台面结构的设计，有效抑制光生载流子的横向移动，同时微柱结构和台柱结构能够将电场限制在中心区域，可以降低台面周边区域的电场强度，抑制边缘击穿，降低杂质和缺陷引起的表面漏电流，降低暗电流。

公开(公告)号：CN118472090A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410745597.6

申请日：2024-06-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨晓红 ,  王睿 ,  唐永升 ,  刘一君 ,  何雨航 ,  王硕

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 提供了一种雪崩光电探测器，可应用于探测器技术领域。该探测器包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底上；N型电极接触区，位于第一绝缘层远离衬底的一侧；本征倍增区，位于N型电极接触区远离衬底的一侧；P型电荷区，位于本征倍增区远离衬底的一侧；本征吸收区，位于P型电荷区远离衬底的一侧；以及P型电极接触区，位于本征吸收区远离衬底的一侧，其中，本征倍增区的材料包括硅。通过采用低k值的硅作为本征倍增区材料，实现更低的过剩噪声和更高的增益带宽积；采用垂直结构，实现对本征吸收区和本征倍增区电场进行有效调控；采用波导结构设计，能够同时实现器件带宽和响应度性能的提升。本公开的实施例还提供了一种雪崩光电探测器的制备方法。

公开(公告)号：CN119907317A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510037301.X

申请日：2025-01-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郝宏玥 ,  牛智川 ,  张世豪 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  王国伟 ,  蒋洞微 ,  倪海桥 ,  苏向斌 ,  王硕

IPC: H10F30/21 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/124 ,  H10F77/20 ,  H10F77/30

Abstract: 本发明涉及红外光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法，以N型掺杂磷化铟衬底作为器件的基础，在N型掺杂磷化铟衬底上依次生长磷化铟吸收层、第一P型接触层、第二P型接触层、短波红外超晶格吸收层、N型接触层。金属下电极与N型掺杂磷化铟衬底接触，金属上电极N型接触层接触，其中心有通光孔。本发明通过利用N型掺杂磷化铟衬底自身的带隙特性来参与光谱吸收，转化为电信号进行探测，同时采用背靠背二极管结构，可以通过调节偏压实现对短波双波段红外的不同响应，由于N型掺杂磷化铟衬底参与了光吸收，因此不需要像传统方法那样去掉衬底，外延结构简单，降低了制作成本并简化了工艺流程。