公开(公告)号：CN120018626A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510129629.4

申请日：2025-02-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王硕 ,  牛智川 ,  郝宏玥 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  王国伟 ,  蒋洞微 ,  倪海桥 ,  张世豪

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/30 ,  H10F30/24 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括：衬底、外延层、钝化层和金属电极，所述外延层包括缓冲层、第一欧姆接触层、集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层，所述第一欧姆接触层上设有第一台阶，使得第一台阶内侧的第一欧姆接触层和集电层形成台柱结构，所述集电层上设有第二台阶，使得第二台阶内侧的集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层形成微柱结构。本发明通过双台面结构的设计，有效抑制光生载流子的横向移动，同时微柱结构和台柱结构能够将电场限制在中心区域，可以降低台面周边区域的电场强度，抑制边缘击穿，降低杂质和缺陷引起的表面漏电流，降低暗电流。

公开(公告)号：CN119907332A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411973631.1

申请日：2024-12-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郝宏玥 ,  牛智川 ,  张世豪 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  蒋洞微 ,  倪海桥 ,  王欣 ,  苏向斌

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F30/222

Abstract: 本发明公开了一种平面型红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底以及衬底上依次生长的缓冲层、N型掺杂接触层、超晶格吸收层和本征接触层，由此形成叠层结构；还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于本征接触层上形成的扩散区域内，所述第二电极位于N型掺杂接触层上形成的凹陷区域内。本发明通过在本征接触层中进行P型扩散形成光电响应通道，由此形成平面型PN结，能够消除探测器的侧壁漏电流，并提高光子注入效率。此外，相较于传统的台面型探测器，本发明减少了钝化处理工艺，有效降低了生产成本，提高了产品良品率。

公开(公告)号：CN119907317A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510037301.X

申请日：2025-01-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郝宏玥 ,  牛智川 ,  张世豪 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  王国伟 ,  蒋洞微 ,  倪海桥 ,  苏向斌 ,  王硕

IPC: H10F30/21 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/124 ,  H10F77/20 ,  H10F77/30

Abstract: 本发明涉及红外光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法，以N型掺杂磷化铟衬底作为器件的基础，在N型掺杂磷化铟衬底上依次生长磷化铟吸收层、第一P型接触层、第二P型接触层、短波红外超晶格吸收层、N型接触层。金属下电极与N型掺杂磷化铟衬底接触，金属上电极N型接触层接触，其中心有通光孔。本发明通过利用N型掺杂磷化铟衬底自身的带隙特性来参与光谱吸收，转化为电信号进行探测，同时采用背靠背二极管结构，可以通过调节偏压实现对短波双波段红外的不同响应，由于N型掺杂磷化铟衬底参与了光吸收，因此不需要像传统方法那样去掉衬底，外延结构简单，降低了制作成本并简化了工艺流程。