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公开(公告)号：CN114765341A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110045443.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种锥形半导体激光器，包括：衬底；依次覆盖于衬底表面的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型刻蚀阻挡层；N型反型层，覆盖于P型刻蚀阻挡层表面，N型反型层中间开设有凹陷且使P型刻蚀阻挡层暴露的脊形单模区和锥形放大区，锥形放大区与脊形单模区相连且沿背离脊形单模区方向的宽度逐渐增大；P型限制层，覆盖于N型反型层表面，P型限制层上靠近N型反型层一侧设有与N型反型层的凹陷侧面和凹陷底面匹配的脊形凸台结构；欧姆接触层，覆盖于P型限制层表面；P面电极和N面电极。本发明还提供了该锥形半导体激光器的制作方法。本发明可明显减少光刻和刻蚀工艺次数，提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN103645548B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310698513.X
申请日：2013-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种确定光斑位置的夹具，其中包括：一底座；一右框，其固定在底座上面的一侧；一左框，其固定在底座上面的另一侧；一背板，其固定在底座的上面，其宽度与右框及左框之间的距离相同；一直角标尺，其包括一长直角边和一短直角边，其可上下滑移的设置在右框及左框之间。本发明在进行快轴与慢轴方向压缩的时候，确保快轴与慢轴压缩前后，光斑上下、左右位置中心没有变化，保证压缩的效果。
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公开(公告)号：CN108800930B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810674318.6
申请日：2018-06-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种可快速装卸料管式炉，包括：一石英舟，其为半圆柱状槽体，该石英舟的两端面均有一圆环，圆环上各连接一根链条，链条的另一端各连接一金属栓子；一密封法兰，在密封法兰靠近中心处开出一个圆孔；一炉管，在炉管一端的外壁上开一个窗口，该窗口通过一盖板密封，该窗口用于装卸料；一卡具；其中，所述石英舟位于炉管内，通过石英舟两端的链条控制石英舟在炉管内的移动；所述卡具将盖板固定在炉管的窗口上。本发明简单易行、操作方便且与传统管式炉兼容，可行性高。
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公开(公告)号：CN107104359A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610096186.4
申请日：2016-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
CPC classification number: H01S5/024
Abstract: 一种热沉，包括独立制作的散热小通道层(1)、回水通道层(2)和底座(3)，其中散热小通道层(1)和回水通道层(2)中开设有多个供冷却介质流通的通道，小通道可通过线切割方式加工。以及一种热沉的制备方法。本发明的热沉可以满足半导体激光器二维叠层的散热要求，单独加工每层结构后，可采用钎焊技术焊接一次即可完成组装，整个热沉制作工艺具有简单经济的特点。
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公开(公告)号：CN105628984A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610181719.9
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R1/04
CPC classification number: G01R1/0425
Abstract: 一种用于单管芯激光二极管的测试老化夹具，包括：一水座，其上表面有一个定位凹槽，该水座两端开有入水口和出水口；一底座，其上有施压片，施压片的一端有两个施压杆；一施压模块，其主体呈U形结构，施压模块主要由两部分组成，施压杆和固定杆，固定杆主体为U型结构，其上有操作杆和固定孔，施压杆由定位杆、横轴、横梁、压力作用杆、操作杆组成，定位杆通过底部的固定孔固定在水座上，定位杆上端开有通孔，用于支撑横轴，横轴用于支撑施压杆的横梁，横梁另一端开一U型槽，用于放置固定杆，横梁中部有一固定孔，用于放置压力作用杆，压力作用杆呈上端细，下端粗，细杆上固定一弹簧，弹簧的作用是施加压力时施压横梁可以下移到设定位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114038742A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111311772.3
申请日：2021-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/225 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/343
Abstract: 本公开提供了一种激光器的制备方法及激光器，其制备方法包括：提供衬底。在衬底上形成包括未混杂的有源区的外延层。在外延层上的部分区域形成至少一层混杂层，用于提供目标离子。在混杂层和外延层上的裸露区域上形成抑制层，以抑制未被混杂层覆盖的外延层中的离子扩散挥发而产生缺陷。通过热退火工艺将混杂层的目标离子扩散到未混杂的有源区内，形成混杂的有源区。去除外延层上的混杂层以及抑制层。采用以上技术方案能够有效提高有源区的混杂效率，进而使激光器获得更好的蓝移效果，并能够有效降低目标离子扩散进入不需要混杂的各层的含量，从而降低激光器的缺陷，进而提高激光器的性能。
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公开(公告)号：CN108847575B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810778850.2
申请日：2018-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器。所述方法包括：在外延片的非吸收窗口区域覆盖光刻胶掩膜进行保护；采用感应耦合等离子体刻蚀方法，通入气体产生的等离子体轰击所述外延片表面；去除所述外延片表面覆盖的光刻胶；在所述外延片表面生长一层氧化硅薄膜；将所述外延片进行热退火处理；去除所述外延片表面生长的氧化硅薄膜。用感应耦合等离子体刻蚀方法替代了生长介质膜形成保护的步骤，简化了制备过程，降低了工艺难度，减少了制备过程中的危险性。
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公开(公告)号：CN113517628B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202110437059.7
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种锥形半导体激光器分离电极热沉，包括：散热基底，设置有凹槽，能够为设置于所述凹槽底部的半导体激光器芯片进行散热；绝缘体组，包括两个绝缘体，对应设置于所述半导体激光器芯片两侧的凹槽底部；以及分离电极，用于为所述半导体激光器芯片供电，包括位于每个所述绝缘体表面且通过绝缘凹槽相隔设置的MO电极单元和PA电极单元。改善了锥形激光器高功率输出时，由于所加在脊形区电流过大导致的模式跳变，输出功率曲线扭曲的现象，提升了锥形半导体激光器高功率输出时的光束质量。
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公开(公告)号：CN110289549A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910540105.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入改变了热流动情况，使得几乎所有热量通过热沉的凸台流向底部热沉，使得激光器芯片中心导热性能优于两侧，其温度下降更快，整个激光器芯片温度更均匀，削弱了热透镜效应。
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公开(公告)号：CN106742604B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201611121055.3
申请日：2016-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00 , B65D25/52 , B65D25/10 , B65D21/032 , B65D85/86
Abstract: 一种半导体单管激光器的存储装置，由n个存储层叠置而成，每个存储层具有基板，基板上为上表面有凹陷空间的矩形平台，凹陷空间中有横向和纵向周期排列的矩形体，每个矩形体上有“+”字形凸台，“+”字形凸台向内凹陷的一个位置与相邻的三个“+”字形凸台向内凹陷位置形成“+”字形凸台为限位的存储空间，则“+”字形凸台四周形成四个相等的存储空间，用于存储半导体单管激光器；基板的下表面有与矩形平台相配合的凹槽，凹槽内与存储空间内角相对应的位置具有柱体，当存储层叠置于另一存储层时，柱体固定另一存储层的半导体单管激光器。本发明能有效避免单管出光面产生的任何损伤、金丝坍塌造成激光器正负极短路；还可将不同的单管分类存储。
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