-
公开(公告)号：CN117209725A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210608126.1
申请日：2022-05-31
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种氮氟杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明氮氟杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物结构式如式(Ⅰ)所示，式(Ⅰ)中，R1和R2选自直链或支链烷基中的任意一种：C5‑C80的直链或支链烷基中的至少一种；X选自氟和/或氢；Y选自氧、硫和硒中的至少一种；聚合度n为5～200。本发明式(Ⅰ)所示聚合物依次通过Stille偶联反应、Aldol反应以及共聚反应制备得到。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明聚合物为有机半导体层材料制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为16.0cm2·V‑1·s‑1，空穴迁移率最高为0.69cm2·V‑1·s‑1，应用于有机场效应器件中具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN117812917A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211156383.2
申请日：2022-09-22
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种含硫醇自组装修饰层的柔性聚合物场效应晶体管器件。所述硫醇为直连或支链结构硫醇，其结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，m和n为0‑29中的任意整数，m和n之和小于等于30。本发明的硫醇自组装层，原料简单易得、自组装层易于制备，宜于大规模应用。以本发明硫醇自组装修饰层修饰电极制备的聚合物柔性场效应晶体管器件的空穴和电子迁移率都比较高，其空穴迁移率最高为6.47cm2·V‑1·s‑1，电子迁移率最高为7.39cm2·V‑1·s‑1。本发明的硫醇自组装修饰层在柔性聚合物场效应晶体管器件中有良好的应用前景。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN117624559A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311494190.2
申请日：2023-11-10
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用。式(Ⅰ)所示。该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物的原料获取简单，合成产率较高，且适合大批量制备；该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物具有优异的热稳定性，强的近红外吸收，与电极匹配的带隙，好的成膜性，可通过溶液加工方法制备有机场效应晶体管器件；以该类双噻吩氮杂异靛蓝聚合物为活性层材料制备的有机场效应晶体管具有较好的空穴传输性能，最高空穴迁移率可达到4.59cm2V‑1s‑1，具有广阔的发展前景。
-
公开(公告)号：CN117801229A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211170629.1
申请日：2022-09-23
申请人： 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物及其绿色制备方法与应用。所述聚合物其结构式如式Ⅰ所示。所述苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物的合成原料都可以简单合成或者从商业途径大量采购得到，制备方法绿色环保，步骤少，宜于大规模合成。本发明苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物具有宽的紫外‑可见光吸收光谱，优良的热学稳定性，优异的成膜性能，有望通过溶液法制备高性能聚合物场效应晶体管器件。本发明苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物为半导体层制备的薄膜场效应晶体管具有优秀的空穴/电子迁移率，具有十分广阔的潜在应用前景。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN117209723A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210606956.0
申请日：2022-05-31
申请人： 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，R1和R2选自直链或支链烷基中的任意一种：C5‑C80的直链或支链烷基，聚合度n为5～200。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为1.60cm2·V‑1·s‑1，空穴迁移率最高为0.70cm2·V‑1·s‑1。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.026 秒)
