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公开(公告)号：CN108023017B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201610964168.3
申请日：2016-11-04
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用，所述方法是利用二维限域诱导的溶液以制备有机无机复合大面积钙钛矿的单晶薄膜，该方法对ABX3型钙钛矿结构材料均有效，均能获得高质量大面积的钙钛矿材料的单晶薄膜。所述薄膜的厚度在10纳米至10微米范围内可调，能适应于不同光电器件对光吸收层的厚度需求。所述薄膜在不同的基底上均能制备，且这种原位生长的方法使单晶薄膜与基地之间具有良好的接触，能适应于不同光电器件对光吸收层的界面需求。所述制备方法的制备条件温和，且具备步骤简单、操作便利、成本低，能耗小等诸多优点，适合于用于不同用途的光电器件大规模工业生产应用。
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公开(公告)号：CN111908417B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910390214.7
申请日：2019-05-10
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿单晶纳米环及其制备方法与应用。所述钙钛矿单晶纳米环具有环状形貌和单晶结构，是独立、连续的纳米环，形貌规则，没有可见的晶界和孔隙等表面缺陷结构，具有好的晶体质量。本发明通过将基底形成二维限域空间，钙钛矿前驱溶液和极性有机溶剂形成的介稳溶液在二维限域空间生长为单晶纳米环结构，本发明通过基底二维限域空间以及溶剂调控工程制备钙钛矿单晶纳米环，相对于其他方法，该方法耗能小，成本低，工艺简单，产物明确，产物构形单一，适于大规模化生产；本发明钙钛矿单晶纳米环为单晶结构，具有较高的晶体质量，无晶界，缺陷密度小，在激光等领域具有巨大
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公开(公告)号：CN111908417A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910390214.7
申请日：2019-05-10
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿单晶纳米环及其制备方法与应用。所述钙钛矿单晶纳米环具有环状形貌和单晶结构，是独立、连续的纳米环，形貌规则，没有可见的晶界和孔隙等表面缺陷结构，具有好的晶体质量。本发明通过将基底形成二维限域空间，钙钛矿前驱溶液和极性有机溶剂形成的介稳溶液在二维限域空间生长为单晶纳米环结构，本发明通过基底二维限域空间以及溶剂调控工程制备钙钛矿单晶纳米环，相对于其他方法，该方法耗能小，成本低，工艺简单，产物明确，产物构形单一，适于大规模化生产；本发明钙钛矿单晶纳米环为单晶结构，具有较高的晶体质量，无晶界，缺陷密度小，在激光等领域具有巨大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN108023017A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610964168.3
申请日：2016-11-04
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用，所述方法是利用二维限域诱导的溶液以制备有机无机复合大面积钙钛矿的单晶薄膜，该方法对ABX3型钙钛矿结构材料均有效，均能获得高质量大面积的钙钛矿材料的单晶薄膜。所述薄膜的厚度在10纳米至10微米范围内可调，能适应于不同光电器件对光吸收层的厚度需求。所述薄膜在不同的基底上均能制备，且这种原位生长的方法使单晶薄膜与基地之间具有良好的接触，能适应于不同光电器件对光吸收层的界面需求。所述制备方法的制备条件温和，且具备步骤简单、操作便利、成本低，能耗小等诸多优点，适合于用于不同用途的光电器件大规模工业生产应用。
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