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公开(公告)号：CN117038431A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311103211.3
申请日：2023-08-29
申请人： 中国科学院光电技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
摘要： 本公开提供一种小尺寸超平坦晶圆及其加工方法，该方法包括：S1，对第一超平坦晶圆的第一表面涂覆第一保护层，并固化；其中，第一超平坦晶圆的局部面形平整度满足面形初始要求；S2，对第一超平坦晶圆的第二表面涂覆第二保护层，并固化；S3，对S2所得的第一超平坦晶圆进行切割，得到预设尺寸的第二超平坦晶圆；S4，对第二超平坦晶圆依次进行边缘倒角处理、边缘抛光处理；S5，去除第二超平坦晶圆上的第一保护层和第二保护层，并进行清洗处理以去除金属、颗粒杂质，得到满足目标光刻技术工艺要求的小尺寸超平坦晶圆。本公开的加工方法能够得到面形质量高、金属颗粒水平达标的小尺寸晶圆。
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公开(公告)号：CN115755541A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211555383.X
申请日：2022-12-06
申请人： 中国科学院光电技术研究所
IPC分类号： G03F7/20 , C09D5/20 , C09D183/04 , C09D129/04 , C09D7/63 , C09D7/65 , G03F7/32
摘要： 本公开提供了一种基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的方法及光刻方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，超分辨光刻结构自下而上依次包括基底、反射金属膜层、感光膜层和透射金属膜层，构成金属v介质v金属的等离子腔体成像结构；S2，利用超分辨光刻对等离子腔体成像结构中的感光膜层进行曝光；S3，在透射金属膜层上涂覆高分子聚合物溶液，加热使高分子聚合物溶液固化，形成聚合物薄膜；S4，剥离聚合物薄膜，同时透射金属膜层粘附于聚合物薄膜上被完整剥离，感光膜层和反射金属膜层无损伤。本公开利用高分子聚合物作为粘附层可简单高效地去除基底表面的金属膜层，而不对等离子腔体成像结构产生损伤和破坏，有利于获得高质量超分辨光刻图形。
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公开(公告)号：CN115642077A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211314786.5
申请日：2022-10-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本公开提供了利用有机薄膜快速去除颗粒的方法和装置，该方法包括：S1，将有机溶液涂覆于含待去除颗粒的材料基底表面，有机溶液至少包括高分子聚合物和溶剂；S2，烘烤材料基底，使有机溶液变黏稠从而包裹住颗粒，烘烤的温度高于高分子聚合物的玻璃化转变温度；S3，待温度降低后，S2中的有机溶液固化成有机薄膜；剥离有机薄膜，颗粒同时被去除。本公开的方法能够一次性去除任意厚度、任意大小的材料基底表面的颗粒，颗粒去除效率高且颗粒去除率能达到93％以上，不需要使用大量的高纯化学试剂，对材料基底表面没有损伤，可适用于硅晶圆、介质和/或金属和/或光敏材料覆盖的硅晶圆、含图形结构的硅晶圆、掩模等材料基底表面颗粒的去除。
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公开(公告)号：CN115755541B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211555383.X
申请日：2022-12-06
申请人： 中国科学院光电技术研究所
IPC分类号： G03F7/20 , C09D5/20 , C09D183/04 , C09D129/04 , C09D7/63 , C09D7/65 , G03F7/32
摘要： 本公开提供了一种基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的方法及光刻方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，超分辨光刻结构自下而上依次包括基底、反射金属膜层、感光膜层和透射金属膜层，构成金属v介质v金属的等离子腔体成像结构；S2，利用超分辨光刻对等离子腔体成像结构中的感光膜层进行曝光；S3，在透射金属膜层上涂覆高分子聚合物溶液，加热使高分子聚合物溶液固化，形成聚合物薄膜；S4，剥离聚合物薄膜，同时透射金属膜层粘附于聚合物薄膜上被完整剥离，感光膜层和反射金属膜层无损伤。本公开利用高分子聚合物作为粘附层可简单高效地去除基底表面的金属膜层，而不对等离子腔体成像结构产生损伤和破坏，有利于获得高质量超分辨光刻图形。
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