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公开(公告)号：CN113493924B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010259005.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海交通大学 , 上海电机学院
Abstract: 本发明公开一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）分别称量In和Se的高纯颗粒作为初始原料，其中In和Se的摩尔比为47:53~53:47；（2）将所述初始原料真空封装，在摇摆炉中升温至熔融温度600‑900℃并保温0.5‑5小时后冷却，得到多晶棒；（3）将多晶棒真空封装，放置在位于三温区立式布里奇曼炉上部的高温区，以0.5‑3mm/h的速度下降并经过温度梯度为5‑20℃/cm的梯度区，随后进入位于三温区立式布里奇曼炉下部的低温区，待晶体生长完成获得单晶；（4）将得到的单晶进行退火。
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公开(公告)号：CN113493924A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010259005.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海交通大学 , 上海电机学院
Abstract: 本发明公开一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）分别称量In和Se的高纯颗粒作为初始原料，其中In和Se的摩尔比为47:53~53:47；（2）将所述初始原料真空封装，在摇摆炉中升温至熔融温度600‑900℃并保温0.5‑5小时后冷却，得到多晶棒；（3）将多晶棒真空封装，放置在位于三温区立式布里奇曼炉上部的高温区，以0.5‑3mm/h的速度下降并经过温度梯度为5‑20℃/cm的梯度区，随后进入位于三温区立式布里奇曼炉下部的低温区，待晶体生长完成获得单晶；（4）将得到的单晶进行退火。
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公开(公告)号：CN118946236A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410906498.1
申请日：2024-07-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C01B17/20
Abstract: 本发明涉及一种硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料及其制备方法。所述硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料具有组成式由Ta2Pd(S1‑xSex)6表示的晶体结构，其中0＜x≤0.07，优选x＝0.02、0.05或0.07。
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公开(公告)号：CN111261767A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010196629.3
申请日：2020-03-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种碲化铋基热电元件及其制备方法。P型碲化铋基热电元件包括：P型碲化铋热电材料层、阻挡层和电极层，所述阻挡层位于所述P型碲化铋热电材料层和所述电极层之间，所述阻挡层的材料选自Fe、Co和Cr单质中的一种，或由至少两种上述单质构成的合金或混合物。上述P型碲化铋基热电元件在高温下阻挡层与碲化铋基体界面结合良好、界面扩散可控、接触电阻率低且稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104555950B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510051468.8
申请日：2015-01-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明涉及一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法，所述碲化铋材料的组成通式为CuxBi0.3Sb1.7-xTe3，其中0.005≤x≤0.02。本发明中碲化铋材料通过自掺杂及Cu掺杂有效提高了材料的载流子浓度，使得材料电性能得到显著优化，同时本征激发受到抑制。优化后的材料在550K附近温区的热电性能得到大幅提升。
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公开(公告)号：CN103746070B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410039382.9
申请日：2014-01-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明的一种环形构造热电器件的制备方法，包括：将第一金属连接层放置于在中空的模具的内壁上纵向设置的凹槽处；在所述模具中插入中心棒；在所述中心棒与所述模具的外壳之间的环形的中空部中依次铺设第一热电材料、隔离层材料和第二热电材料；对所述模具进行烧结；在烧结完成后移出所述中心棒并去除所述第一热电材料和第二热电材料之间的所述隔离层材料以得到环形热电单偶；以及多个所述环形热电单偶的内壁之间用第二金属连接层相连以得到环形构造热电器件。采用本发明，可高效地制备环形构造热电器件。
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公开(公告)号：CN100549195C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610027340.9
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法，属于热电材料领域。该材料的组成式为IyA4B12/zIOx，I为Yb或Eu或Ce或La或Nd或Ca或Sr中的一种，A为Sb或者Sb和Ge或Sn或Te或Se中一种的混合，B为Co或者Co和Fe或Ni中一种的混合，y为I元素的实际填充量，y+z＝m，m大于填充方钴矿原子的填充极限。该材料采用先采用熔融法合成块体材料，即按I∶Co∶Sb＝m∶4∶12摩尔比配料后，封入密闭的石英管中。将原料加热至熔融状态，经过充分化学反应并冷却后，获得块体材料，再用机械粉碎并研磨成粉末。然后将上述粉末用脉冲直流通电快速烧结成致密的块体。该材料在降低晶格热导率同时不影响材料的电传输性能，从而提高材料的热电转换性能。
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公开(公告)号：CN119785545A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411933374.9
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及姿态传感系统领域，具体涉及一种基于热电器件供电的防坠落姿态传感系统，包括具有连接关系的电源模块、传感模块、信号采集模块和信号传输模块；电源模块包括热电器件和超级电容器，超级电容器能够储存热电器件产生的电能并为传感模块、信号采集模块和信号传输模块提供电量；传感模块包括姿态传感器，用于实时监测物体晃动并产生的对应的晃动信号；信号采集模块包括信号采集器，用于采集并分析晃动信号；信号传输模块包括信号传输子模块和预警器，信号传输子模块用于将晃动信号传输至预警器，预警器在晃动信号超出报警安全阈值时，触发报警功能。本发明可以预防物体坠落。
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