公开(公告)号：CN104538478A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410748529.1

申请日：2014-12-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 唐恒敬 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  石铭 ,  杨靖 ,  汤乃云 ,  龚海梅

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/08 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明公开了一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法，具体包括：在外延片上刻蚀形成p型微台面；在微台面局部区域上制备P电极区，其上置有覆盖部分微台面的电极互连区，并从微台面上延伸至微台面下；在微台面的一侧有刻蚀至n型缓冲层的N槽，并制备上N电极区。除P和N电极区外，整个外延片上覆盖有复合钝化层。本发明的优点是：Al2O3/SiNx复合钝化膜结构可实现对微台面的有效覆盖，提升侧面钝化效果，降低界面态密度，提升器件的灵敏度；高温退火之后制备Al2O3/SiNx复合钝化膜，避免了In元素的外扩散和薄膜绝缘性能的退化，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN104538478B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410748529.1

申请日：2014-12-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 唐恒敬 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  石铭 ,  杨靖 ,  汤乃云 ,  龚海梅

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法，具体包括：在外延片上刻蚀形成p型微台面；在微台面局部区域上制备P电极区，其上置有覆盖部分微台面的电极互连区，并从微台面上延伸至微台面下；在微台面的一侧有刻蚀至n型缓冲层的N槽，并制备上N电极区。除P和N电极区外，整个外延片上覆盖有复合钝化层。本发明的优点是：Al2O3/SiNx复合钝化膜结构可实现对微台面的有效覆盖，提升侧面钝化效果，降低界面态密度，提升器件的灵敏度；高温退火之后制备Al2O3/SiNx复合钝化膜，避免了In元素的外扩散和薄膜绝缘性能的退化，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN204332988U

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201420770648.2

申请日：2014-12-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 唐恒敬 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  石铭 ,  杨靖 ,  汤乃云 ,  龚海梅

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0304

Abstract: 本专利公开了一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器，具体包括：在外延片上刻蚀形成p型微台面；在微台面局部区域上制备P电极区，其上置有覆盖部分微台面的电极互连区，并从微台面上延伸至微台面下；在微台面的一侧有刻蚀至n型缓冲层的N槽，并制备上N电极区。除P和N电极区外，整个外延片上覆盖有复合钝化层。本专利的优点是：Al2O3/SiNx复合钝化膜结构可实现对微台面的有效覆盖，提升侧面钝化效果，降低界面态密度，提升器件的灵敏度；高温退火之后制备Al2O3/SiNx复合钝化膜，避免了In元素的外扩散和薄膜绝缘性能的退化，提高器件的可靠性。