公开(公告)号：CN107994095B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201711275111.3

申请日：2017-12-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 曹高奇 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  杨波 ,  邓双燕 ,  程吉凤 ,  于一臻 ,  龚海梅

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本专利的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。

公开(公告)号：CN107994095A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711275111.3

申请日：2017-12-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 曹高奇 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  杨波 ,  邓双燕 ,  程吉凤 ,  于一臻 ,  龚海梅

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本发明的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。

公开(公告)号：CN207529952U

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201721683340.4

申请日：2017-12-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 曹高奇 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  杨波 ,  邓双燕 ,  程吉凤 ,  于一臻 ,  龚海梅

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本专利的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利