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公开(公告)号：CN118116796A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211534688.2
申请日：2022-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件的制备方法，提供一中间结构，所述中间结构包括碳化硅衬底及位于所述碳化硅衬底上表面的外延层；采用等离子体氮化处理工艺钝化所述外延层的上表面形成钝化层；采用低温沉积工艺于所述钝化层的上表面形成氧化层，并采用等离子体氧化处理工艺处理所述氧化层；采用低温氧气退火工艺对所述氧化层进行氧气退火，并采用高温氮气退火工艺对所述氧化层进行氮气退火。本发明提供的碳化硅MOSFET器件的制备方法能够减少碳化硅外延层与氧化层相结合的介质界面处存在的界面态陷阱及近界面态陷阱。
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