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公开(公告)号：CN119922917A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411933697.8
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高密度半导体存储器及其制备方法，包括从下到上依次设置的半导体衬底、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第三绝缘介质层；所述第一绝缘介质层内设有互连底电极，其底部连接半导体衬底内的有源区，顶部连接第二绝缘介质层内的底部电极；所述第三绝缘介质层内设有硫系化合物材料单元和顶部电极，与底部电极连接形成半导体存储单元；所述硫系化合物材料单元一侧间隔设有硫系化合物材料伪单元；所述第三绝缘介质层内设有第四绝缘介质层；所述半导体存储单元上设有互连顶电极，与顶部电极相连；所述半导体衬底上设有接触电极，与有源区、互连顶电极相连。本发明实现存储单元相互独立，从而获得低压低功耗、高密度半导体存储器。
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