Patent search ap:("中国科学院上海微系统与信息技术研究所") AND inv:"赵梓豪" Page 1

1.

发明公开
一种自选通存储器审中-实审

公开(公告)号：CN116367580A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310311669.1

申请日：2023-03-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱敏 , 宋志棠 , 赵梓豪

IPC: H10K50/15 , H10N70/20 , H10N70/00 , H10B63/00

Abstract: 本发明涉及一种自选通存储器，包括上电极(2)、与上电极(2)相接触的上介质层(3)、下电极(6)、与下电极(6)相接触的下介质层(5)以及夹设于所述上介质层(3)和下介质层(5)之间的开关材料层(4)。本发明减少了非标工艺的数量，器件开关与存储阵列的高度显著降低，与CMOS工艺兼容性提高，更容易三维集成存储阵列层数增加，功耗降低、存储速度加快；不仅减少材料结构变化损伤，而且对热窜扰显著改善，通过二合一单元上的串联电阻可以增加正、反向阈值电压的电压差、进一步提高其可靠性。

Patent Agency Ranking