公开(公告)号：CN111834205A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010644757.X

申请日：2020-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  沈正浩

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/34 ,  H01L21/425 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种异质半导体薄膜的制备方法，包括：获取具有第一抛光面的半导体单晶晶片；获取具有第二抛光面的异质衬底；在半导体单晶晶片的第一抛光面上沉积一层缓冲层后构成第一复合结构；向半导体单晶晶片注入阻挡层离子后形成阻挡层；退火处理；沿半导体单晶晶片的沟道向半导体单晶晶片注入H离子，H离子的原子序数小于阻挡层离子的原子序数、注入能量大于阻挡层离子的注入能量；去除缓冲层；将半导体单晶晶片与异质衬底进行键合，得到第二复合结构；退火处理，得到异质半导体薄膜。本发明通过注入阻挡层离子在半导体单晶晶片内形成阻挡层以俘获H离子，如此，减少了离子剥离所造成的损伤，从而大大提高了H离子的利用率和薄膜的质量。

公开(公告)号：CN111850692A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010645070.8

申请日：2020-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  沈正浩

IPC: C30B29/30 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，包括：获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；在所述介电层的表面刻蚀沟槽；将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合结构；对所述第一复合结构进行减薄处理后得到第二复合结构；对所述第二复合结构进行表面处理后得到第三复合结构；将所述第三复合结构放入处理液中进行腐蚀，得到所述铌酸锂自支撑薄膜。通过上述方法得到的铌酸锂自支撑薄膜与铌酸锂单晶晶片的质量一样，从而解决了现有技术中制备铌酸锂薄膜时由于离子束作用而造成的薄膜缺陷问题。

公开(公告)号：CN111834205B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202010644757.X

申请日：2020-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  沈正浩

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/34 ,  H01L21/425 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种异质半导体薄膜的制备方法，包括：获取具有第一抛光面的半导体单晶晶片；获取具有第二抛光面的异质衬底；在半导体单晶晶片的第一抛光面上沉积一层缓冲层后构成第一复合结构；向半导体单晶晶片注入阻挡层离子后形成阻挡层；退火处理；沿半导体单晶晶片的沟道向半导体单晶晶片注入H离子，H离子的原子序数小于阻挡层离子的原子序数、注入能量大于阻挡层离子的注入能量；去除缓冲层；将半导体单晶晶片与异质衬底进行键合，得到第二复合结构；退火处理，得到异质半导体薄膜。本发明通过注入阻挡层离子在半导体单晶晶片内形成阻挡层以俘获H离子，如此，减少了离子剥离所造成的损伤，从而大大提高了H离子的利用率和薄膜的质量。