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发明公开
气敏膜的形成方法、气体传感器的制造方法及气体传感器审中-实审

公开(公告)号：CN119355061A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411414213.9

申请日：2024-10-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 涂敏 , 唐振元 , 李馥

IPC: G01N27/12 , G01N27/30

Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种气敏膜的形成方法、气体传感器的制造方法及气体传感器。气敏膜的形成方法具体包括以下步骤：提供一光敏溶液和气敏溶液组合；所述光敏溶液包括光酸产生剂或者光敏交联剂；所述气敏溶液包括包裹有配体的纳米材料；将所述光敏溶液和所述气敏溶液按照预设比例混合，得到混合溶液；在目标基底的表面涂覆所述混合溶液后，在紫外光条件下对所述混合溶液进行图案固化处理，得到位于所述目标基底上的气敏膜。使形成的气敏膜具有一致性好、气敏效果好以及制备效率高的特点。

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