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公开(公告)号：CN116621112A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310488581.7
申请日：2023-05-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS技术的四合一单片集成传感器及其制作方法。本发明的四合一单片集成传感器在单个硅片上集成了多种传感器的功能，可以同时测量压力、加速度、气体和湿度，可用于复杂场景下的多参数同步检测。该四合一集成传感器采用表面微机械加工工艺制作，为了形成压力传感器、加速度传感器、气体传感器和湿度传感器所需的空腔结构，采用SiO2填充且使用HF溶液腐蚀多晶硅以释放腔体的方法，这样不仅有利于各种功能传感器的工艺兼容，而且也可以提高集成传感器的成品率。同时该集成传感器的制作成本相对较低，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN116621114A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310499321.X
申请日：2023-05-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS技术的六合一单片集成传感器的制作方法，其包括在硅片上沉积隔离层，利用多晶硅制作牺牲层，沉积低应力氮化硅作为结构层和敏感膜片，在敏感膜片上制作敏感器件，使得XeF2气体透过敏感膜片上的腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，停止腐蚀后封堵所有的腐蚀释放孔。本发明的六合一单片集成传感器在单个硅片上集成了压力、加速度、气体、湿度、温度和麦克风传感器的功能，可以应用于复杂的场景如应急救援和公共安全等，从而提高作业效率；并且采用以上牺牲层和腐蚀的材料使得该集成传感器的成品率达到了一个较高的水平，制作成本也会较大幅度地降低，而且可与IC兼容。
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公开(公告)号：CN116621113A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310491694.2
申请日：2023-05-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的制作方法，包括：在硅片上沉积一层隔离层；利用多晶硅在隔离层上制作得到凸台和腐蚀引线，作为牺牲层；在具有牺牲层的硅片上沉积一层低应力氮化硅，作为结构层和敏感膜片；刻蚀得到腐蚀释放孔；使XeF2气体透过腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，在观察到凸台的颜色全部变化时停止腐蚀，将硅片清洗干净并烘干；在腐蚀释放孔处沉积氮化硅‑二氧化硅‑氮化硅多层材料，得到封堵层，来封堵所述腐蚀释放孔。本发明的方法采用多晶硅填充作为牺牲层，并且采用XeF2对牺牲层进行腐蚀，速率更快更容易控制，而且也不会因腐蚀传感器结构层等其他部分而导致器件损坏，提高了器件的成品率。
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