公开(公告)号：CN118189831A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410182609.9

申请日：2024-02-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谭智勇 ,  李弘义 ,  曹俊诚

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明涉及一种厚度测量装置及方法。所述装置包括：光源，用来发射太赫兹光束；测量模块，用来将所述太赫兹光束转化为参考光束和探测光束，进而引导所述探测光束穿过可转动的被测样品后与所述参考光束合束形成干涉光束；计算模块，用来对所述被测样品转动过程中所述干涉光束的强度分布变化进行分析，获得所述探测光束相对所述参考光束的相位变化值，并记录所述相位变化值对应的所述被测样品的旋转角度，进而根据所述相位变化值和所述旋转角度利用相位角度公式计算得到所述被测样品的厚度。本发明能够精确测量太赫兹光可穿透样品的厚度。

公开(公告)号：CN113078221A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110473933.2

申请日：2021-04-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谭智勇 ,  李弘义 ,  王长 ,  曹俊诚

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G01J1/44

Abstract: 本发明提供一种太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法，所述芯片级封装结构包括：封装下壳体、具有贯通开口的PCB线路板、太赫兹量子阱探测器、跨阻放大器、供电接头及输出接头，所述PCB线路板设于所述封装下壳体内，所述太赫兹量子阱探测器通过所述贯通开口设于所述封装下壳体内，所述跨阻放大器设于所述PCB线路板上，所述供电接头及所述输出接头的一端均设于所述PCB线路板上，且另一端均设于所述封装下壳体外。通过本发明提供的太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法，解决了现有太赫兹低温放大电路存在的诸多问题。

公开(公告)号：CN118032714A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410184327.2

申请日：2024-02-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谭智勇 ,  李弘义 ,  曹俊诚

IPC: G01N21/45 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明提供一种太赫兹频段的零差探测系统，该零差探测系统包括太赫兹光源、第一和二分束器、第一和二反射镜、待测物及太赫兹透镜和探测阵列，其中，第一分束器位于太赫兹光源的光路上并将太赫兹光束分成透/反射光；第二分束器位于透射光光路上，透过第二分束器的透射光作为参考光；第一反射镜位于反射光光路上；待测物位于转向后的反射光光路上，经过待测物的反射光作为信号光；第二反射镜位于信号光光路上并使信号光转向第二分束器发生反射以形成物光；太赫兹透镜位于参考光与物光的光路上；太赫兹探测阵列位于太赫兹透镜一侧。本发明通过太赫兹光源、第一和二分束器、第一和二反射镜及太赫兹透镜和探测阵列的结合实现了太赫兹频段的零差探测。

公开(公告)号：CN214753782U

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202120915568.1

申请日：2021-04-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谭智勇 ,  李弘义 ,  王长 ,  曹俊诚

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G01J1/44

Abstract: 本实用新型提供一种太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构，所述芯片级封装结构包括：封装下壳体、具有贯通开口的PCB线路板、太赫兹量子阱探测器、跨阻放大器、供电接头及输出接头，所述PCB线路板设于所述封装下壳体内，所述太赫兹量子阱探测器通过所述贯通开口设于所述封装下壳体内，所述跨阻放大器设于所述PCB线路板上，所述供电接头及所述输出接头的一端均设于所述PCB线路板上，且另一端均设于所述封装下壳体外。通过本实用新型提供的太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构，解决了现有太赫兹低温放大电路存在的诸多问题。